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史敬元

作品数：62 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 61篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 47篇石墨
  • 47篇石墨烯
  • 23篇场效应
  • 22篇晶体管
  • 18篇场效应晶体管
  • 15篇电极
  • 14篇光刻
  • 13篇载流子
  • 11篇迁移率
  • 11篇金属
  • 9篇载流子迁移率
  • 9篇自对准
  • 8篇碳基
  • 8篇光刻胶
  • 7篇电阻
  • 6篇铜表面
  • 6篇介质层
  • 5篇光学光刻
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体器件

机构

  • 62篇中国科学院微...

作者

  • 62篇张大勇
  • 62篇史敬元
  • 62篇金智
  • 50篇彭松昂
  • 24篇麻芃
  • 19篇王少青
  • 12篇王选芸
  • 5篇陈娇
  • 1篇苏永波
  • 1篇周静涛
  • 1篇丁武昌

传媒

  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2025
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 12篇2017
  • 18篇2016
  • 8篇2015
  • 9篇2013
共 62 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种石墨烯导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：在金属箔表面利用化学气相沉积方法生长石墨烯；利用电沉积方法在生长有石墨烯的金属箔表面沉积氧化石墨烯；将沉积了氧化石墨烯的金属箔在保护气和...
张大勇金智史敬元麻芃
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通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法
本发明公开了一种通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法，该方法包括：在石墨烯上沉积栅介质层，制备T型栅金属电极；沉积钝化保护层，利用选择性刻蚀去除栅介质上方覆盖的钝化保护层而保留T型栅金属电极足部侧墙部分的钝...
麻芃金智史敬元王少青张大勇王选芸
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吸波材料制备方法及形成的吸波材料
本发明提供一种吸波材料制备方法及形成的吸波材料，所述方法包括：制备具有电磁波吸收特性的纳米粒子胶体溶液；将多孔基质材料放入所述纳米粒子胶体溶液中，使所述纳米粒子胶体溶液充分进入所述多孔基质中；通过采用电泳装置，使得所述多...
张大勇金智史敬元彭松昂
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减小金属与石墨烯接触电阻的方法及石墨烯FET器件
一种减小金属与石墨烯材料接触电阻的方法及石墨烯FET器件，该方法包括：提供绝缘衬底；在衬底上制备或转移石墨烯材料；在石墨烯上图形化源端和漏端；蒸发一层非常薄的金属层；在薄层金属的掩膜下，对金属下方的石墨烯进行缺陷化处理；...
金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇
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一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法
本发明公开了一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法，该方法是将机械剥离得到的石墨烯结合于目标基底上，然后将结合有石墨烯的目标基底浸泡于有机溶剂四氢呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一种之中，溶解石墨烯表面的残胶，...
金智彭松昂史敬元王少青王选芸张大勇
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一种悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构及其制造方法
本发明提供一种悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构，包括：基板；形成于基板上的源漏区域；形成于源漏区域之间的沟道沟槽；形成于源漏区域中的重掺杂欧姆接触区域；形成于重掺杂欧姆接触区域上方的源漏电极；其中悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管...
金智姚尧黄昕楠史敬元彭松昂张大勇
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一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法
本发明公开了一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，该方法包括：将清洗后的衬底放入烘箱内80℃～200℃干燥处理5分钟～60分钟；配制BCB溶液，利用有机溶液对BCB溶液进行稀释，通过匀胶机将稀释后的BCB溶...
史敬元金智张大勇麻芃彭松昂
一种石墨烯导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：在石墨电极表面利用电化学方法沉积金属铜；在铜表面利用化学气相沉积方法生长石墨烯；将热释放胶带黏贴在石墨烯表面，将铜薄膜从石墨基底表面剥离...
张大勇金智史敬元麻芃
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金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管
一种金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管，该制备方法包括：在衬底上光刻定义出需要金属接触的区域，在光刻胶的保护下，利用干法选择性刻蚀出用于沉积下层金属的凹槽；电子束蒸发下层金属，利用剥离工艺得到下层金属图案；转...
金智毛达诚王少青彭松昂史敬元张大勇
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一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该自对准石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层、栅金属和自对准金属，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘体上，导电...
金智彭松昂麻芃张大勇史敬元陈娇
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