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张杰

作品数：12 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：甘肃省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 4篇电路
  • 3篇芯片
  • 3篇开关
  • 3篇HEMT
  • 2篇带隙
  • 2篇单刀双掷
  • 2篇数字发射机
  • 2篇自举
  • 2篇自举电路
  • 2篇末级
  • 2篇开关电路
  • 2篇开关功率放大...
  • 2篇计算方法
  • 2篇计算装置
  • 2篇隔离度
  • 2篇功耗
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇功率容量
  • 2篇发射机

机构

  • 12篇中国科学院微...
  • 1篇兰州交通大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇上海联星电子...
  • 1篇江苏中科君芯...

作者

  • 12篇张杰
  • 7篇罗卫军
  • 5篇刘辉
  • 3篇李博
  • 3篇刘海南
  • 3篇王林飞
  • 1篇吴蓉
  • 1篇魏珂
  • 1篇曹立强
  • 1篇刘新宇
  • 1篇李君
  • 1篇苏梅英
  • 1篇王启东

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 4篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2014
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种绝缘栅双级晶体管
本发明公开了一种IGBT，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：元胞区，包围所述元胞区的终端区；位于所述元胞区的多个IGBT元胞；位于所述终端区的终端结构，所述终端结构包括：多个场限环，所...
左小珍张杰褚为利赵佳田晓丽吴振兴卢烁今朱阳军
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HEMT与单刀双掷开关电路
本申请提供了一种HEMT与单刀双掷开关电路。该HEMT包括两个沿第一方向设置的子HEMT，子HEMT包括衬底、第一半导体层、第二半导体层以及金属电极，第二半导体层的材料的带隙宽度大于第一半导体层的材料的带隙宽度，金属电极...
罗卫军张宗敬刘辉张杰
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一种存内计算装置及计算方法
本发明公开一种存内计算装置及计算方法，涉及存内计算芯片设计技术领域，以解决现有技术中在同时输出信号的原信号和反向信号时需要额外配置反相器导致反向信号相对于原信号的延时以及功耗增加的问题。存内计算装置的存内计算列包括计算单...
王林飞张杰李倩刘海南李博
HEMT与单刀双掷开关电路
本申请提供了一种HEMT与单刀双掷开关电路。该HEMT包括两个沿第一方向设置的子HEMT，子HEMT包括衬底、第一半导体层、第二半导体层以及金属电极，第二半导体层的材料的带隙宽度大于第一半导体层的材料的带隙宽度，金属电极...
罗卫军张宗敬刘辉张杰
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开关功率放大器和数字发射机
本发明提供一种开关功率放大器，其包括：驱动模块，用于将输入信号初步放大以生成驱动信号；末级放大电路模块，其包括D类功率放大电路，该末级放大电路模块由所述驱动信号驱动，用于将所述驱动信号放大并输出放大后的信号；自举电路模块...
罗卫军刘辉张杰来龙坤徐进
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GaN HEMT器件的制备方法
本发明公开了一种GaN HEMT器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成器件本体，所述器件本体按自下而上的顺序依次包括第一GaN层、AlGaN层、第二GaN层和介质层；在器件本体中形成栅极凹进，所述栅极凹进穿过介质层...
罗卫军张杰魏珂刘新宇
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一种存内计算装置及存内计算方法
本发明公开一种存内计算装置及存内计算方法，涉及存内计算芯片设计技术领域，以解决现有技术中计算单元使用晶体管数量较多的问题。存内计算装置包括多个存内计算列以及控制单元；所述存内计算列包括计算单元和多个存储单元，所述计算单元...
王林飞张杰李倩刘海南李博
开关功率放大器和数字发射机
本发明提供一种开关功率放大器，其包括：驱动模块，用于将输入信号初步放大以生成驱动信号；末级放大电路模块，其包括D类功率放大电路，该末级放大电路模块由所述驱动信号驱动，用于将所述驱动信号放大并输出放大后的信号；自举电路模块...
罗卫军刘辉张杰来龙坤徐进
一种SRAM存储单元
本发明公开一种SRAM存储单元，本发明涉及芯片设计技术领域，用于解决现有存储结构不能同时保证写能力和半选单元的稳定性的问题。包括：交叉耦合反相器、读通路以及存取晶体管；交叉耦合反相器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第...
王林飞李倩张杰崔鹏宇廖翌如刘海南李博
GaN HEMT开关器件小信号模型被引量：2
2018年
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义。为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型。利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生电感以及寄生电阻。对于栅极附加有千欧姆量级偏置电阻的开关器件提出了一种新的本征参数提取方法。最后通过引入误差因子来评估该模型的准确性和应用在单刀双掷（SPDT）开关电路中检验模型的正确性。结果表明,误差因子E11=E22〈2.96%,E12=E21〈1.27%,开关电路拟合S参数与实测S参数结果基本吻合。所设计的小信号模型对未来GaN基电路设计提供了一定的理论指导。
张宗敬雷天民刘辉张杰耿苗罗卫军
关键词：ALGAN/GANHEMT开关小信号模型
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共2页<12>
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