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刘辉

作品数：23 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 7篇电路
  • 7篇微电子
  • 5篇微电子机械
  • 5篇微电子机械系...
  • 5篇光学
  • 4篇氮化硅
  • 4篇芯片
  • 4篇解复用
  • 4篇开关功率放大...
  • 4篇功率放大
  • 4篇功率放大器
  • 4篇光刻
  • 4篇放大器
  • 4篇复用
  • 4篇复用器
  • 4篇HEMT
  • 3篇氮化硅薄膜
  • 3篇开关
  • 3篇光学光刻
  • 3篇硅薄膜

机构

  • 23篇中国科学院微...
  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 23篇刘辉
  • 10篇罗卫军
  • 10篇陈大鹏
  • 9篇欧毅
  • 5篇董立军
  • 5篇张杰
  • 5篇孙朋朋
  • 4篇崔芳
  • 4篇孙雨南
  • 4篇耿苗
  • 4篇张蓉
  • 3篇叶甜春
  • 3篇王冠亚
  • 2篇石莎莉
  • 2篇韩阶平
  • 2篇王玮冰
  • 2篇胥兴才
  • 2篇陈梦真
  • 2篇李超波
  • 2篇谢常青

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2010
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 1篇1996
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
HEMT与单刀双掷开关电路
本申请提供了一种HEMT与单刀双掷开关电路。该HEMT包括两个沿第一方向设置的子HEMT，子HEMT包括衬底、第一半导体层、第二半导体层以及金属电极，第二半导体层的材料的带隙宽度大于第一半导体层的材料的带隙宽度，金属电极...
罗卫军张宗敬刘辉张杰
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硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法
一种硅基液晶(LCOS)铝反射电极的钝化保护方法，属于微电子器件制备技术领域，其工艺步骤如下：1、在硅基片表面上光刻出反射电极图形；2、在光刻出图形的硅片表面用电子束蒸发出铝薄膜；3、采用常规剥离工艺得到所需的铝反射电极...
欧毅陈大鹏刘明刘辉
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开关功率放大器和数字发射机
本发明提供一种开关功率放大器，其包括：驱动模块，用于将输入信号初步放大以生成驱动信号；末级放大电路模块，其包括D类功率放大电路，该末级放大电路模块由所述驱动信号驱动，用于将所述驱动信号放大并输出放大后的信号；自举电路模块...
罗卫军刘辉张杰来龙坤徐进
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一种非制冷红外焦平面阵列探测器及其制作方法
本发明公开了一种非制冷红外焦平面阵列探测器，包括：由双层氮化硅SiN<Sub>x</Sub>薄膜分别形成的支撑结构和微反射镜结构，支撑结构同时也作为红外辐射吸收层，用于吸收红外辐射；微反射镜结构用于与支撑结构形成红外吸收...
陈大鹏叶甜春欧毅董立军刘辉胥兴才韩敬东李超波焦彬彬黄庆文石莎莉伍小平张青川董凤良熊慎明
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非接触式微电子机械系统红外温度报警器的制备方法
本发明公开了一种制备非接触式MEMS红外温度报警器的方法，包括：在第一片硅衬底的正面和背面生长氮化硅薄膜；涂光学光刻胶，对光学光刻胶进行光刻显影，形成悬臂梁图形；蒸发铬薄膜，剥离形成铬掩蔽图形；将氮化硅薄膜刻透，得到悬臂...
欧毅由春娟罗晓光陈大鹏李超波焦斌斌石莎莉董立军韩敬东刘辉
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ICP刻蚀技术在微细加工中的应用
电感耦合等离子体干法刻蚀技术(ICP)以其高密度高能量和刻蚀各向异性的特点越来越多的在微细加工领域被应用,微电子中心凭借在设备和工艺研发上的优势,在该领域进行了许多深入的研究和探索,并且用ICP干法刻蚀技术制备了EUV透...
李兵刘辉陈大鹏谢常青王玮冰王冠亚胥兴才陈朝晖叶甜春
关键词：ICPX射线光刻EUVRIE刻蚀技术
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基于薄膜结构的MEMS技术研究被引量：5
2004年
报导了基于低应力自支撑SiNx薄膜结构的MEMS部分研究结果,包括从薄膜生长工艺、内应力和薄膜微观结构控制、薄膜的物性分析、镂空自支撑薄膜结构的工艺制作、自支撑薄膜结构动力学的有限元模拟、到最后镂空自支撑薄膜结构在MEMS系统中的应用所做的部分研究工作。
陈大鹏王玮冰欧毅杨清华谢常青刘辉董立军叶甜春
关键词：氮化硅微电子机械系统有限元模拟
硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法
一种硅基液晶(LCOS)铝反射电极的钝化保护方法，属于微电子器件制备技术领域，其工艺步骤如下：1.在硅基片表面上光刻出反射电极图形；2.在光刻出图形的硅片表面用电子束蒸发出铝薄膜；3.采用常规剥离工艺得到所需的铝反射电极...
欧毅陈大鹏刘明刘辉
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开关功率放大器
本发明提供了一种开关功率放大器，包括：两个电平转移电路，分别用于对低电压差分信号的两路信号进行降压，得到两路降压负值电压信号；放大模块，用于对所述两路降压负值电压信号进行放大，得到并输出一路放大后的电压信号。另外，本发明...
刘辉罗卫军张蓉孙朋朋耿苗张宗敬
束致变蚀方法
本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀方法。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂组合物层；...
韩阶平王守武王培大杜甲丽李秀琼陈梦真刘辉徐卫东
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共3页<123>
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