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文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 4篇辐射发光
  • 4篇超辐射
  • 4篇超辐射发光二...
  • 3篇发散角
  • 3篇波导
  • 2篇电光
  • 2篇电光转换
  • 2篇电光转换效率
  • 2篇电注入
  • 2篇电阻
  • 2篇应变量子阱
  • 2篇允差
  • 2篇耦合封装
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇光转换
  • 2篇光转换效率
  • 2篇废热

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇谭满清
  • 6篇赵亚利
  • 5篇郭文涛
  • 5篇刘珩
  • 5篇熊迪
  • 1篇郭小峰
  • 1篇曹迎春

年份

  • 2篇2020
  • 3篇2018
  • 1篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
低发散角的超辐射发光二极管结构
一种低发散角的超辐射发光二极管结构,包括:一衬底;一缓冲层,其制作在衬底上;一无源波导芯层,其制作在缓冲层上;一空间层,其制作在无源波导芯层上;一应变量子阱结构,其制作在空间层上;一缓冲层,其制作在应变量子阱结构上;一电...
郭文涛谭满清熊迪赵亚利曹营春万丽丽刘珩
文献传递
非对称模式扩展小发散角半导体激光器
一种非对称模式扩展小发散角半导体激光器,包括:衬底;缓冲层,形成于衬底之上;模式扩展层,形成于缓冲层之上;空间层,形成于模式扩展层之上;N型限制层,形成于空间层之上;下波导层,形成于N型限制层上;有源区,形成于下波导层上...
熊迪谭满清郭文涛曹营春赵亚利
文献传递
一种表面贴装LED用的陶瓷外壳
本实用新型公开了一种表面贴装LED用的陶瓷外壳,其包括:上层陶瓷片:其上表面两短边处分别具有镀金正极和负极,且其两短边侧壁分别具有上正连接区和上负连接区,所述正极与上正连接区连接,所述负极与所述上负连接区连接;中层陶瓷片...
谭满清郭小峰刘珩曹迎春赵亚利
文献传递
低发散角的超辐射发光二极管结构
一种低发散角的超辐射发光二极管结构,包括:一衬底;一缓冲层,其制作在衬底上;一无源波导芯层,其制作在缓冲层上;一空间层,其制作在无源波导芯层上;一应变量子阱结构,其制作在空间层上;一缓冲层,其制作在应变量子阱结构上;一电...
郭文涛谭满清熊迪赵亚利曹营春万丽丽刘珩
基于模斑转换结构的超辐射发光二极管
本公开提供了一种基于模斑转换结构的超辐射发光二极管,包括:n‑InP衬底;无源波导层,设置于n‑InP衬底上;有源区,设置于无源波导层上,用于发射激光,包括应变量子阱和设置于应变量子阱上的势垒层;波导结构,设置于有源区上...
郭文涛谭满清熊迪赵亚利曹营春万丽丽刘珩
基于模斑转换结构的超辐射发光二极管
本公开提供了一种基于模斑转换结构的超辐射发光二极管,包括:n‑InP衬底;无源波导层,设置于n‑InP衬底上;有源区,设置于无源波导层上,用于发射激光,包括应变量子阱和设置于应变量子阱上的势垒层;波导结构,设置于有源区上...
郭文涛谭满清熊迪赵亚利曹营春万丽丽刘珩
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