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杜锴: 作品数：68 被引量：0H指数：0; 供职机构：西安电子科技大学更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

合作作者

郝跃西安电子科技大学
冯倩西安电子科技大学
代波西安电子科技大学
张春福西安电子科技大学
郑雪峰西安电子科技大学

作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域

文献类型

66篇专利
2篇学位论文

领域

1篇电子电信

主题

35篇场板
27篇淀积
27篇ALGAN/...
26篇击穿电压
25篇高压器件
25篇ALGAN/...
21篇本征
18篇耗尽型
14篇槽栅
13篇导通
13篇导通电阻
13篇电阻
13篇化物
13篇硅化物
12篇电极
12篇势垒
10篇电场
10篇电场分布
10篇绝缘栅
9篇钝化层

机构

68篇西安电子科技...

作者

68篇杜锴
66篇冯倩
66篇郝跃
60篇代波
38篇张春福
34篇马晓华
34篇郑雪峰
20篇董良
12篇杜鸣
6篇张进城
6篇陆小力
4篇张进成

年份

1篇2018
13篇2017
19篇2016
35篇2014

共 68 条记录，以下是 1-10

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排序方式：

基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂...; 冯倩杜锴代波张春福梁日泉张进成郝跃; 文献传递

加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、源场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维...; 冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃; 文献传递

基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、...; 冯倩杜锴梁日泉张春福代波张进城郝跃; 文献传递

一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化...; 冯倩董良代波杜锴陆小力马晓华郑雪峰郝跃; 文献传递

基于超结漏场板的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于超结漏场板的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、本征GaN（或AlGaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上有源极、栅极和...; 冯倩杜锴杜鸣张春福梁日泉郝跃; 文献传递

加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂...; 冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃; 文献传递

加栅场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种加栅场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维...; 冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃; 文献传递

基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复...; 冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃; 文献传递

基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN（或AlGaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上依次有：源极、栅极...; 冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃; 文献传递

基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法，依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔依次设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合...; 冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃; 文献传递

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