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代波: 作品数：66 被引量：1H指数：1; 供职机构：西安电子科技大学更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

合作作者

郝跃西安电子科技大学
冯倩西安电子科技大学
杜锴西安电子科技大学
郑雪峰西安电子科技大学
马晓华西安电子科技大学

作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域

文献类型

65篇专利
1篇学位论文

领域

1篇电子电信

主题

33篇场板
27篇淀积
27篇ALGAN/...
23篇击穿电压
19篇高压器件
19篇本征
19篇ALGAN/...
16篇耗尽型
14篇槽栅
13篇化物
13篇硅化物
12篇导通
12篇导通电阻
12篇电极
12篇电阻
10篇势垒
9篇钝化层
8篇增强型
8篇栅电极
8篇绝缘栅

机构

66篇西安电子科技...

作者

66篇代波
65篇冯倩
65篇郝跃
60篇杜锴
34篇马晓华
34篇郑雪峰
32篇张春福
20篇董良
6篇杜鸣
6篇张进城
6篇陆小力
5篇李付国
5篇谢文林
5篇徐通
4篇张进成

年份

1篇2018
13篇2017
16篇2016
6篇2015
30篇2014

共 66 条记录，以下是 1-10

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排序方式：

基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂...; 冯倩杜锴代波张春福梁日泉张进成郝跃; 文献传递

加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、源场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维...; 冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃; 文献传递

加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、p型GaN层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化...; 冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃; 文献传递

一种基于极化效应的复合场板高性能AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法: 本发明公开了一种基于极化效应的复合场板高性能AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设...; 冯倩代波董良杜锴郑雪峰张春福马晓华郝跃; 文献传递

加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂...; 冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃; 文献传递

加栅场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种加栅场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维...; 冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃; 文献传递

基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复...; 冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃; 文献传递

基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN（或AlGaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上依次有：源极、栅极...; 冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃; 文献传递

基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法，依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔依次设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合...; 冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃; 文献传递

一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法: 本发明公开了一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，自下而上依次包括衬底，GaN缓冲层，AlN隔离层、GaN沟道层，AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层...; 冯倩代波董良杜锴郑雪峰张春福马晓华郝跃; 文献传递

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