谢莎
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 高温退火后含He纳米晶钛膜中He相关缺陷的演化被引量：1
- 2013年
- 利用X射线衍射(XRD)和慢正电子束分析(SPBA)技术研究高温退火后含He钛膜的微观结构和钛膜内He相关缺陷的演化。XRD分析表明,高温退火后Ti和Si在高温下发生反应形成稳定的多晶TiSi2化合物,He原子的掺入会影响TiSi2晶体的择优取向,而对TiSi2晶粒尺寸的影响较小。SPBA结果表明,室温下,钛膜内的缺陷浓度或尺寸会随着掺He浓度的增加而增大;高温退火后,当He浓度小于5%(原子分数,下同)时(除2%外),钛膜内的He相关缺陷浓度随着He浓度增加相应地增加。当He浓度增加到14%时,高温会使较高浓度的He原子、He-空位复合体以及小He泡迁移聚集形成一些尺寸较大He泡,而较大He泡周围与He相关的小尺寸缺陷的浓度则会发生相应地减少。
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- 关键词：金属材料直流磁控溅射XRD
- 用慢正电子束方法研究纳米晶钨膜中氦氢相关缺陷的演变
- <正>钨金属由于自身的物理特性,如高熔点,低溅射率和良好的热机械行为,而被选为国际热核实验堆中的第一壁材料。第一壁材料会面临强烈等离子体的辐照,从而影响其使用寿命,因此了解钨中氦氢相关缺陷的演化行为是一个重要的课题。本文...
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- 文献传递
- 纳米多晶钨膜中He相关缺陷对H滞留的影响被引量：1
- 2014年
- 用磁控溅射方法制备纳米多晶钨膜,采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),弹性反冲探测(ERD)和慢正电子束分析(SPBA)等手段研究了在高能He+和H+依次对其辐照后He相关缺陷对H滞留的影响。结果表明,注He+钨膜在退火后从β型钨向α型钨转变;钨膜中的He含量随着退火温度的提高而减少,在873 K退火加剧钨膜中He原子的释放,且造成钨膜空位型缺陷的增加和结构无序度的提高;钨膜中的H滞留总量随着He滞留总量的减少略有下降。
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- 关键词：金属材料HHE
