黎明
- 作品数：3 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 低气压条件下氢气潘宁放电的模拟分析被引量：9
- 2013年
- 为更好地理解低气压、弱电离条件下潘宁离子源放电过程中离子和电子的动力学行为,通过建立二维轴对称模型,采用粒子模拟与蒙特卡罗相结合(PIC/MCC)的方法,考虑了电子与氢气之间的弹性碰撞、激发、电离以及氢原子、离子之间的弹性碰撞和电荷交换等过程,对微型氢气潘宁离子源放电和引出过程进行了数值研究.考察了磁场位形、壁面二次电子发射系数、引出电压和充气压力对放电过程的影响,得到了实验中难以诊断得到的放电腔内电子与离子数密度分布,阳极电流、引出极离子电流、单原子氢离子比例和双原子氢离子比例等宏观参数与实验结果相一致.通过仿真使得对氢气潘宁放电机制的研究从定性过渡到定量,这对于潘宁离子源的设计和改进具有重要意义.
- 石磊钱沐杨肖坤祥黎明
- 关键词：潘宁放电氢气蒙特卡罗
- 含表面层的厚靶D-T中子产额计算
- 2014年
- 本文给出一种含表面层氚钛靶D-T反应中子产额的计算方法,并开发了相应的数值计算程序。以氧化层为TiO2为例,定量计算了D核在TiO2中的深度分布统计及透过率、200keV的D核穿过不同厚度TiO2的能量分布函数、D核入射含不同厚度氧化层TiT1.0的D-T中子产额和不同能量D核入射固定厚度氧化层TiT1.0的D-T中子产额。结果显示,中子产额随氧化层厚度的增加而减小,对于200keV的D核入射到含TiO2氧化层的TiT1.0厚靶,当TiO2厚度为0.1μm时,损失约10%的中子产额,厚度为0.2μm时,损失约20%的中子产额。本方法可推广到其他类型表面层(如污染层、保护层等)的中子产额计算,可用于中子发生器用靶的结构设计和中子产额评估。
- 石磊黎明
- 关键词：D-T中子产额表面层
- 小型潘宁离子源放电及引出特性的数值模拟
- 2016年
- 为更好地理解低气压、弱电离条件下潘宁离子源放电过程中离子和电子的动力学行为,建立了简化小型氢气潘宁离子源放电物理模型,采用粒子模拟与蒙特卡罗相结合(PIC/MCC)的方法,考虑了电子与氢气之间的弹性碰撞、激发、电离以及氢原子、离子之间的弹性碰撞和电荷交换等过程,实现了氢气潘宁离子源从放电到离子引出全过程的数值模拟。对结构优化前后潘宁离子源的电场和磁场进行了模拟计算,考察了空间不同位置处的离子和电子在其电磁场中的运动轨迹,分析了阳极电压和源内气压对放电过程的影响,得到了实验中难以在放电腔内诊断得到的电子与离子数密度分布,引出极离子电流等宏观参数与文献实验结果一致。通过数值模拟使得对氢气潘宁放电机制的研究从定性过渡到定量,这对于潘宁离子源的设计和改进具有重要意义。
- 石磊黎明王亚军
- 关键词：潘宁放电离子源磁场
