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石磊

作品数:35 被引量:42H指数:5
供职机构:中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金:国防科技工业技术基础科研项目中国工程物理研究院电子工程研究所科技创新基金更多>>
相关领域:核科学技术理学金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 17篇会议论文
  • 16篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 11篇核科学技术
  • 10篇理学
  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇等离子体
  • 8篇中子
  • 8篇离子
  • 6篇残余应力
  • 5篇等离子体鞘层
  • 5篇鞘层
  • 5篇中子产额
  • 5篇离子源
  • 5篇厚度
  • 5篇D-T
  • 5篇产额
  • 4篇对等离子体
  • 4篇应力
  • 4篇数值模拟
  • 4篇X射线衍射法
  • 4篇值模拟
  • 3篇中子发生器
  • 3篇厚靶
  • 3篇二次电子
  • 3篇表面层

机构

  • 35篇中国工程物理...
  • 3篇电子科技大学
  • 2篇清华大学

作者

  • 35篇石磊
  • 15篇金大志
  • 10篇谈效华
  • 8篇唐平瀛
  • 8篇戴晶怡
  • 5篇陈磊
  • 5篇钱沐杨
  • 3篇黎明
  • 2篇张健
  • 2篇米伦
  • 2篇向伟
  • 2篇杨春
  • 2篇肖坤祥
  • 2篇胡思得
  • 2篇黎明
  • 2篇罗启彬
  • 1篇彭康
  • 1篇杨中海
  • 1篇程亮
  • 1篇史愚砾

传媒

  • 4篇原子能科学技...
  • 4篇真空
  • 2篇强激光与粒子...
  • 1篇焊接
  • 1篇物理学报
  • 1篇理化检验(物...
  • 1篇核技术
  • 1篇自动化与仪器...
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇2007年度...
  • 1篇2009年系...
  • 1篇第九届高功率...
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇第八届(20...
  • 1篇北京核学会第...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2016
  • 5篇2014
  • 2篇2013
  • 6篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 6篇2004
  • 1篇2003
35 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
中子发生器中二次电子抑制的数值模拟
中子发生器主要由离子源,加速系统和靶等组成。当离子束轰击靶产生中子的同时,在靶面也产生二次电子,形成二次电子流,导致电源负荷加重,从而影响中子参数,因此在中子发生器中需要采取各种方法抑制二次电子流.本文简单讨论了中子发生...
石磊金大志
关键词:中子发生器数值模拟
文献传递
混合离子束阴极真空弧等离子体鞘层特性被引量:2
2012年
基于无碰撞模型,建立了混合离子束阴极真空弧等离子体鞘层动力学模型,给出了解析表达式。针对材料改性中应用的H-Ti混合离子束,模拟计算了鞘层厚度和靶表面电场强度分别随离子密度和偏置靶压的演变规律。针对实际应用中出现的鞘层击穿和离子束散焦现象进行了理论分析,发现离子束稳定工作区域强烈依赖于离子密度和偏置靶压等参数,降低离子密度和提高靶压会增加稳定工作区域范围。
陈磊金大志石磊谈效华戴晶怡胡思得
中子发生器中二次电子抑制的数值模拟
中子发生器主要由离子源、加速系统和靶等组成。当离子束轰击靶产生中子的同时,在靶面也产生二次电子,形成二次电子流,导致电源负荷加重,从而影响中子参数,因此在中子发生器中需要采取各种方法抑制二次电子流。本文简单讨论了中子发生...
石磊金大志
关键词:二次电子中子发生器数值模拟
文献传递
含表面层的厚靶D-T中子产额计算
2014年
本文给出一种含表面层氚钛靶D-T反应中子产额的计算方法,并开发了相应的数值计算程序。以氧化层为TiO2为例,定量计算了D核在TiO2中的深度分布统计及透过率、200keV的D核穿过不同厚度TiO2的能量分布函数、D核入射含不同厚度氧化层TiT1.0的D-T中子产额和不同能量D核入射固定厚度氧化层TiT1.0的D-T中子产额。结果显示,中子产额随氧化层厚度的增加而减小,对于200keV的D核入射到含TiO2氧化层的TiT1.0厚靶,当TiO2厚度为0.1μm时,损失约10%的中子产额,厚度为0.2μm时,损失约20%的中子产额。本方法可推广到其他类型表面层(如污染层、保护层等)的中子产额计算,可用于中子发生器用靶的结构设计和中子产额评估。
石磊黎明
关键词:D-T中子产额表面层
陶瓷金属封接应力的分析与测试
陶瓷-金属封接过程中容易产生残余应力,将影响到封接强度和产品的可靠性.应用理论公式和ANSYS有限元分析软件对典型结构的应力分布进行了计算,同时应用X射线衍射法对该结构的应力进行了测试.结果表明计算与测试结果一致,ANS...
金大志石磊
关键词:残余应力ANSYS有限元分析X射线衍射法
文献传递
陶瓷/金属封接残余应力的计算和测试
2008年
陶瓷/金属封接过程中容易产生残余应力,将影响到封接强度和产品的可靠性。应用薄壳理论和ANSYS有限元分析软件对典型结构的应力分布进行了计算,同时应用X射线衍射法对该结构的应力进行了测试。结果表明,计算值和测量值的趋势基本一致,都是在陶瓷侧的外表面靠近界面的地方存在着最大的轴向拉应力。
石磊金大志
关键词:残余应力X射线衍射法
真空热处理炉瞬态传热过程的数值模拟被引量:7
2013年
建立了一个三维真空热处理炉的非线性有限元模型,该模型的热源是电流通过加热体产生的焦耳热,传热途径主要考虑了加热体与内屏蔽层间、各屏蔽层之间的非线性辐射传热。利用有限元软件ANSYS对真空热处理炉加热过程中的瞬态温度场进行了模拟计算,得到了热电偶温度随时间的变化曲线,并与实验结果进行了比较,讨论了进一步提高计算准确性的途径。
石磊解永蓉
关键词:真空热处理炉辐射传热数值模拟
管状陶瓷金属封接残余应力计算比较
2009年
陶瓷/金属封接过程中由于温差容易产生残余应力,将影响到封接强度和产品的可靠性。应用薄壳理论公式和ANSYS有限元分析软件对典型筒状陶瓷/金属对封结构的残余应力分布进行了计算比较,指出了薄壁理论公式的适用范围,同时讨论了异材界面端存在应力奇异性的问题。
石磊金大志
关键词:奇异性残余应力
离子源研究中的光谱诊断
在离子源研究中,光谱分析作为一种重要的实验手段,具有不可替代的优越性和便利性。作为一种非接触式的等离子体诊断手段,光谱分析可以在不影响离子源放电工作状态的前提下,对离子源放电等离子体的有关参数迅速做出测量和判断。本文列举...
唐平瀛戴晶怡谈效华向伟石磊
关键词:离子源等离子体光谱诊断
文献传递
陶瓷金属封接应力的分析与测试
陶瓷-金属封接过程中容易产生残余应力,将影响到封接强度和产品的可靠性。应用理论公式和ANSYS有限元分析软件对典型结构的应力分布进行了计算,同时应用X射线衍射法对该结构的应力进行了测试。结果表明计算与测试结果一致,ANS...
金大志石磊
关键词:陶瓷-金属封接残余应力ANSYSX射线衍射法
文献传递
共4页<1234>
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