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陈珂

作品数：14 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇电子迁移率
  • 6篇迁移率
  • 6篇晶体管
  • 6篇高电子迁移率
  • 6篇高电子迁移率...
  • 6篇MOCVD
  • 6篇成核
  • 4篇势垒
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇非极性
  • 4篇GAN
  • 4篇衬底
  • 3篇二维电子
  • 3篇二维电子气
  • 2篇电流崩塌
  • 2篇形貌
  • 2篇源流
  • 2篇外延层
  • 2篇二极管
  • 2篇发光

机构

  • 14篇西安电子科技...

作者

  • 14篇陈珂
  • 12篇张进成
  • 12篇郝跃
  • 6篇许晟瑞
  • 6篇付小凡
  • 5篇王冲
  • 5篇马晓华
  • 5篇王昊
  • 4篇马俊彩
  • 4篇杨林安
  • 4篇周小伟
  • 4篇杨传凯
  • 4篇史林玉
  • 3篇刘子扬
  • 3篇林志宇
  • 3篇张凯
  • 2篇解露
  • 2篇奚鹏程
  • 2篇曹艳荣
  • 2篇薛晓咏

年份

  • 1篇2020
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2006
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极...
张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂奚鹏程解露李亮薛晓咏
文献传递
基于a面6H-SiC衬底上非极性a面GaN的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于a面6H-SiC衬底的非极性a面GaN薄膜生长方法，主要解决常规非极性材料质量差的问题。其生长步骤是：(1)将a面6H-SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行...
郝跃许晟瑞张进成周小伟杨林安史林玉王昊陈珂
基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：(1)将r面Al<Sub>2</...
许晟瑞郝跃周小伟张进成史林玉陈珂杨传凯欧新秀
文献传递
基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：(1)将r面Al<Sub>2</...
许晟瑞郝跃周小伟张进成史林玉陈珂杨传凯欧新秀
文献传递
基于启发式搜索的神经网络对抗样本生成方法研究
深度学习被广泛应用于众多领域和行业，面对复杂任务时能够发挥巨大的优势。但是，随着对深度神经网络越来越高的关注度，研究人员发现神经网络存在令人堪忧的安全问题，若是被恶意利用，会造成巨大的损失。因此，对于神经网络鲁棒性的研究...
陈珂
关键词：信息安全启发式搜索
基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>衬底置于MOCVD...
郝跃许晟瑞张进成杨林安王昊陈珂曹艳荣杨传凯
文献传递
高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(...
张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂马俊彩刘子扬林志宇张凯
槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT的器件及制作方法，主要解决现有增强型器件中阈值电压低和制作工艺中刻蚀损伤大所造成的可靠性低的问题。该器件自下而上包括：衬底、I-GaN层、II-GaN层、AlGaN...
张进成陈珂郝跃马晓华王冲付小凡马俊彩刘子扬林志宇张凯
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基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>衬底置于MOCVD...
郝跃许晟瑞张进成杨林安王昊陈珂曹艳荣杨传凯
阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极...
张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂奚鹏程解露李亮薛晓咏
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