- 阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极...
- 张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂奚鹏程解露李亮薛晓咏
- 文献传递
- 基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法
- 本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合...
- 郝跃许晟瑞张进成周小伟欧新秀付小凡杨传凯薛军帅
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- 基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上极性c面GaN薄膜的MOCVD生长方法
- 本发明公开了一种基于c面A1<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中质量较差，应力大的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al<Sub>2</...
- 郝跃许晟瑞张进成张金风毛维史林玉付小凡梁晓祯
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- 双沟道AlGaN//GaN异质结构材料与器件研究
- 随着材料质量和器件工艺的不断进步,AlGaN//GaN高电子迁移率晶体管/(HEMT/)器件性能也得到了不断提升。为了追求更高的器件性能指标,众多研究者一直在探索新的器件结构,双沟道异质结构就是其中一种。与传统的单沟道异...
- 付小凡
- 关键词：高电子迁移率晶体管
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- 槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法
- 本发明公开了一种槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT的器件及制作方法，主要解决现有增强型器件中阈值电压低和制作工艺中刻蚀损伤大所造成的可靠性低的问题。该器件自下而上包括：衬底、I-GaN层、II-GaN层、AlGaN...
- 张进成陈珂郝跃马晓华王冲付小凡马俊彩刘子扬林志宇张凯
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- 高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(...
- 张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂马俊彩刘子扬林志宇张凯
- 阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极...
- 张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂奚鹏程解露李亮薛晓咏
- 基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法
- 本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合...
- 郝跃许晟瑞张进成周小伟欧新秀付小凡杨传凯薛军帅
- 基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上极性c面GaN薄膜的MOCVD生长方法
- 本发明公开了一种基于c面A1<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中质量较差，应力大的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al<Sub>2</...
- 郝跃许晟瑞张进成张金风毛维史林玉付小凡梁晓祯
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- 非故意掺杂与半绝缘GaN缓冲层上的AlGaN/GaN异质结构的高温电子输运特性
- 2010年
- 研究了非故意掺杂(UID)与半绝缘(SI)GaN缓冲层(BL)上的Al0.35Ga0.65N/GaN异质结构高温下的电子输运特性,应用Hall效应系统地测量了样品在高温下的电子面密度和电子迁移率随温度变化的关系.实验发现,高温下AlGaN/GaN异质结构的电子迁移率主要受到LO声子散射的作用,其中,UID-BL样品的电子面密度随温度升高而逐渐上升,SI-BL样品的电子面密度则随温度升高呈现先下降再平衡后上升的规律.对相应的未生长AlGaN势垒层的本征GaN薄膜的高温电阻特性分析表明,随着温度的升高,UID-BL样品的电子迁移率受到背景载流子的影响逐渐增大;SI-BL样品的电子迁移率在室温附近受附加位错散射的影响较大,600K以后受背景载流子的影响缓慢增强,这对于研究AlGaN/GaN异质结构器件的高温特性具有很好的参考意义.另外,由理论计算可知,高温下二维电子气(2DEG)逐渐向势垒层和缓冲层内部扩展,电子在第一子带的占据从室温下的86%下降到700K时的81%.
- 付小凡王昊史林玉张忠芬张进成欧新秀郝跃
- 关键词：电子输运
