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李思渊

作品数:62 被引量:38H指数:4
供职机构:兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金:甘肃省自然科学基金“九五”国家科技攻关计划“八五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 51篇期刊文章
  • 9篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 52篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 17篇晶体管
  • 15篇静电感应器件
  • 14篇静电感应晶体...
  • 12篇晶闸管
  • 11篇静电感应晶闸...
  • 10篇SITH
  • 8篇SIT
  • 6篇电感应
  • 6篇双极型
  • 6篇静电
  • 6篇静电感应
  • 5篇扩散
  • 5篇复合结构
  • 4篇单晶
  • 4篇沟道
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体器件
  • 4篇GATE
  • 4篇衬底
  • 3篇电性能

机构

  • 61篇兰州大学
  • 4篇兰州交通大学
  • 2篇河北半导体研...
  • 2篇兰州理工大学
  • 2篇西安邮电学院
  • 2篇中国科学院
  • 1篇甘肃联合大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院近...

作者

  • 62篇李思渊
  • 23篇刘肃
  • 16篇刘瑞喜
  • 14篇杨建红
  • 12篇王永顺
  • 9篇何山虎
  • 9篇姜岩峰
  • 7篇孟雄晖
  • 7篇李海蓉
  • 7篇胡冬青
  • 6篇唐莹
  • 6篇毕祥林
  • 4篇任立
  • 4篇黄仕琴
  • 4篇马淑萍
  • 4篇马中华
  • 4篇杨利成
  • 3篇吴蓉
  • 3篇刘英坤
  • 3篇李海霞

传媒

  • 15篇半导体技术
  • 14篇Journa...
  • 10篇兰州大学学报...
  • 4篇电力电子技术
  • 2篇应用科学学报
  • 1篇甘肃教育学院...
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇电子器件
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇科技信息
  • 1篇科技视界

年份

  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 5篇2005
  • 6篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 4篇2001
  • 4篇2000
  • 6篇1999
  • 7篇1998
  • 1篇1997
  • 3篇1996
  • 3篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1991
62 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种静电感应器件及其制造方法
本发明公开一种静电感应器件及其制造方法。本发明的器件是在基片的高阻区内所形成的栅条及栅墙之上形成绝缘层,在栅条间的沟道区之上形成源区,且所述的源区被位于栅条上的绝缘层隔开。本发明的方法是在单晶基片上以外延方法形成高阻层,...
李思渊何山虎李寿嵩唐金科张秀文张旗刘肃毕祥林卢小莹田仁杰
静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究被引量:4
1994年
对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关.
李思渊孙卓刘肃
关键词:静电感应晶体管
电力SITH动态测试原理与计算方法被引量:1
1994年
介绍了电容脉冲测试原理,指出采用高电压、小电流的直流电源,可对电力SITH的动态参数进行模拟测试.文中给出了测试电路的设计计算方法.
刘肃李思渊康宁
关键词:静电感应晶闸管
复合结构静电感应晶体管的终端造型
2011年
为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应,对应于静电感应器件的复合结构,采用限场环与切断环作为终端造型,使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽,以分散电力线并降低表面电场。
朱筠李思渊
一种多槽结构静电感应器件及其制备方法
本发明为一种多槽结构静电感应器件及其制备方法,涉及半导体领域。现有技术中存在栅-源(阴)极电压(V<Sub>GS(K)</Sub>)和伏-安特性(I-V特性)的统一问题,即V<Sub>GS(K)</Sub>过高,I-V特...
李海蓉李思渊刘肃唐莹李海霞
Mechanism of Reverse Snapback on I-V Characteristics of Power SITHs with Buried Gate Structure被引量:1
2008年
The reverse snapback phenomena (RSP) on I-V characteristics of static induction thyristors (SITH) are physically researched. The I-V curves of the power SITH exhibit reverse snapback phenomena, and even turn to the conducting-state,when the anode voltage in the forward blocking-state is increased to a critical value. The RSP I-V characteristics of the power SITH are analyzed in terms of operating mechanism, double carrier injection effect, space charge effect, electron-hole plasma in the channel, and the variation in carrier lifetime. The reverse snapback mechanism is theoretically pro- posed and the mathematical expressions to calculate the voltage and current values at the snapback point are presented. The computing results are compared with the experiment values.
王永顺李海蓉吴蓉李思渊
关键词:LIFETIME
Analysis on Characteristic of Static Induction Transistor Using Mirror Method被引量:1
2005年
A cylindrical gates model of the static induction transistor is proposed and mirror method is used to calculate the distribution of electric potential.The results show that:the potential barrier is directly determined by channel over pinched-off factor;gate efficiency η decreases as the gate dimension α 2 and shifted gate voltage are minished,and what differs from the first-order theory is that η will tend to zero at the shifted gate voltage tends to zero when V D=0;at low current,the voltage amplification factor μ increases as the drain current rising.When the drain current reaches certain degree,the voltage amplification factor keeps almost constant.In the end,an analytical description of SIT’s characteristic suited to both triode-like and mixed I-V characteristics are obtained.The predicted I-V curves are consistent perfectly with the reported experimental ones.
胡冬青李思渊王永顺
BSIT开启特性的研究被引量:1
1996年
双极型静电感应晶体管(BSIT)以其高电流增益,低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注.但对其作用机制,特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究.在实验观测的基础上,对BSIT开通过程进行了理论分析和二维数值模拟.结果表明,BSIT的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变,即由正向小栅压(VG≤0.5V)下的势垒控制机制转变为大栅压(VG≥0.5V)下的少子注入电流控制机制.数值计算给出的结果有:小栅压下沿沟道中心线的电势分布;沿沟道的少子和电场分布;开态的I-V特性;通态压降与饱和电流随正栅压的变化;通态电阻随栅压和材料参数的变化;特别是电流增益随栅压。
李思渊刘瑞喜李成刘肃杨建红韩永召
关键词:双极型静电感应晶体管
静电感应晶体管I-V特性的控制被引量:3
1998年
静电感应晶体管(SIT)的I-V特性(包括类三极管、类五极管以及三-五极管的混合特性)与器件的结构及参数密切相关。沟道长度lc、沟道厚度dc、比值lc/dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则、方法,引入了一个控制因子β,特别是对混合特性的控制进行了讨论。
刘瑞喜李思渊
关键词:静电感应晶体管I-V特性SIT晶体管
复合结构静电感应晶体管的终端造型
2011年
为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应,对应于静电感应器件的复合结构,采用限场环与切断环作为终端造型,使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽,以分散电力线并降低表面电场。
朱筠李思渊
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