公共文化服务平台

刘肃: 作品数：113 被引量：183H指数：7; 供职机构：兰州大学更多>>; 发文基金：甘肃省自然科学基金国家自然科学基金甘肃省科技支撑计划更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响: 2009年; 针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压。同时,还简要描述了这种器件的制造工艺。; 岳红菊刘肃王永顺李海蓉; 关键词：静电感应晶闸管台面刻蚀

应用于A/D转换器中的基准电压源的设计被引量：3: 2003年; 基准电压源是A/D转换器中非常重要的模块,它的稳定性直接影响着A/D转换器的性能。在TSMC0.18μm/3.3VN wellCMOS工艺条件下,温度系数可达十几个ppm/℃。在频率等于100kHz时,PSRR达到54dB,功耗只有0.25mW。; 刘肃刘丰; 关键词：基准电压源 A/D转换器 CMOS 电源抑制比

基于功率MOS线性高压放大器设计被引量：1: 2010年; 为了实现对输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0~5 V时,电路可实现0~50 V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140^+140 V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义。; 张浩王立新陆江刘肃; 关键词：功率MOSFET 运算放大器功率驱动

SiGe缓冲层对β-SiC(n)/c-Si(p)异质结特性的影响被引量：2: 2008年; SiC/Si的界面特性严重影响着SiC/Si异质结的电学特性及光学特性.在β-SiC(n)/c-Si(p)异质结中引入Si Ge缓冲层,构造了Al/β-SiC(n)/Si Ge/c-Si(p)/Al典型的三明治异质结结构.对带有和不带Si Ge缓冲层的β-SiC(n)/c-Si(p)异质结的界面SEM图像,正反向I-V特性曲线及QE作了对比研究,理论和实验均表明,Si Ge缓冲层的引入可以有效地改善β-SiC(n)/c-Si(p)异质结的界面特性,减少界面缺陷,从而提高异质结的反向击穿电压及整流比,展宽异质结光谱响应范围,提高量子效率QE,且使QE的峰值点发生明显红移.; 张彩珍刘肃陈永刚吴蓉刘春娟; 关键词：异质结 SEM QE

双膜片结构光纤光栅地震检波器低频特性的研究被引量：19: 2010年; 提出了一种双膜片式的光纤光栅(FBG)地震检波器,此结构有效限制了检波器横向响应。对该检波器的纵向加速度灵敏度和幅频特性进行了理论分析,并指出了影响这种检波器纵向加速度灵敏度的因素。实验结果表明,该种检波器在5～200Hz频率范围内频响平坦,纵向加速度灵敏度为24.3pm/g,谐振峰在900Hz附近,与理论计算较好的吻合。; 李学成刘肃张文涛张发祥李芳刘育梁; 关键词：地震检波器幅频特性

Low Temperature Synthesis and Optical Properties of ZnO Nanowires被引量：2: 2007年; ZnO nanowire arrays are fabricated on anodized aluminum oxide templates with electric field-assisted electrochemical technology. Transmission electron microscopy results indicate that the nanowires are straight and uniform. X-ray diffraction patterns indicate that the nanowires are highly oriented. The result of selected area electron diffraction suggests that the nanowires are single crystals. The photoluminescence spectrum presents a broad-band luminescence in the region of 350-650nm. The effect of the assisted transverse electric field on the growth process of ZnO nanowires is also discussed.; 常鹏刘肃陈溶波唐莹韩根亮; 关键词：ZNO ELECTROCHEMICAL NANOWIRES

硅-硅键合界面氧化层模型与杂质分布的模拟: 2006年; 硅-硅直接键合的硅片界面存在一层很薄的氧化层,其化学成分是非化学计量比的氧化物S iOw(0; 陈新安黄庆安刘肃李伟华; 关键词：硅-硅直接键合

基于Siwave与ADS的高频仿真被引量：5: 2013年; 在DDR2(Double Data Rate 2)存储器的供电网络和信号传输网络设计中,由于存储器的工作频率很高,所以不可避免的会遇到高频完整性问题。借助Siwave软件对相关电源网络,进行谐振分析和阻抗分析;借助ADS(Advanced Design System)软件对信号网络,进行S参数和IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)接口分析。在频率高于100 MHz时,电源阻抗大于2Ω,信号噪声也超过300 mV。通过添加去耦电容、改动走线等方法,能够减小阻抗,抑制信号噪声,把电源和信号噪声控制在5%以内。; 刘肃闫胜刚王永; 关键词：ADS 谐振分析阻抗分析 S参数

一种硅基集成化光模式数据交换器: 一种硅基集成化光模式数据交换器，包括第一微环谐振器和第二微环谐振器，第一微环谐振器由环形波导和弯曲波导组成，第二微环谐振器由另一个环形波导和两根直波导组成。该模式数据交换器采用相对简单的结构将传统波分复用的波长交换功能引...; 田永辉肖恢芙赵国林刘子龙孟英昊邓林郭小男刘贵鹏刘肃杨建红

静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究被引量：4: 1994年; 对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关.; 李思渊孙卓刘肃; 关键词：静电感应晶体管