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巩锋

作品数：23 被引量：106H指数：8
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文基金：北京市教委资助项目更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 23篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇晶体
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 4篇液相外延
  • 4篇液相外延技术
  • 4篇碲镉汞
  • 4篇复合衬底
  • 4篇INSB
  • 4篇衬底
  • 3篇碲锌镉
  • 3篇硅基
  • 3篇红外
  • 3篇发光
  • 2篇英寸
  • 2篇双晶衍射
  • 2篇晶格
  • 2篇晶体生长
  • 2篇晶体质量
  • 2篇激光
  • 2篇焦平面

机构

  • 19篇华北光电技术...
  • 4篇北京工业大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 23篇巩锋
  • 12篇周立庆
  • 7篇刘铭
  • 5篇刘兴新
  • 5篇折伟林
  • 4篇常米
  • 4篇王经纬
  • 3篇臧竞存
  • 2篇胡尚正
  • 2篇史文均
  • 2篇宋淑芳
  • 2篇尚林涛
  • 2篇许秀娟
  • 2篇邢伟荣
  • 2篇董瑞清
  • 2篇周翠
  • 2篇强宇
  • 2篇侯晓敏
  • 2篇吴卿
  • 2篇陈元瑞

传媒

  • 18篇激光与红外
  • 1篇材料导报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇第二届全国先...
  • 1篇第三届全国先...

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
3英寸Si基碲镉汞分子束外延工艺研究被引量：8
2012年
随着红外焦平面阵列规模的扩大,由于尺寸和成本的限制,传统晶格匹配的碲锌镉衬底逐渐成为碲镉汞红外焦平面探测器发展的瓶颈,大尺寸、低成本硅基碲镉汞材料应运而生。本文采用分子束外延工艺生长获得了3 in Si基中波碲镉汞薄膜材料,通过采用金相显微镜、傅里叶红外光谱仪、双晶X射线衍射仪、湿化学腐蚀位错密度(EPD)法、Hall测试系统等检测手段对Si基中波碲镉汞分子束外延薄膜材料进行表面、光学、结构和电学性能表征,并采用标准平面器件工艺制备中波640×512焦平面探测阵列进行材料验证,结果表明该材料性能与国际先进水平相当。
巩锋周立庆王经纬刘铭常米强宇
关键词：分子束外延
InAs/GaSb Ⅱ型超晶格红外探测器的研究进展被引量：6
2014年
InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料理论上性能优于HgCdTe、InSb等红外探测材料,基于成熟的Ⅲ-V族化合物材料与器件工艺,使得Ⅱ型超晶格材料容易满足均匀大面阵、双色或多色集成等红外探测器的要求,因而InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料将逐步替代HgCdTe、InSb等材料成为第三代红外探测器的首选材料。本文阐述了InAs/GaSb超晶格红外探测器的基本原理、以及材料生长和器件结构,并对其研究进展进行了综述性介绍。
宋淑芳巩锋周立庆
关键词：红外材料红外探测器
碲锌镉缓冲层液相外延技术的研究
2007年
文章报道了采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好。采用碲锌镉缓冲结构生长了碲镉汞液相外延片,其碲锌镉与碲镉汞薄膜界面附近的杂质得到了有效的控制。
周立庆刘兴新巩锋胡尚正
关键词：液相外延
软脆碲锌镉衬底的新型化学抛光技术研究被引量：5
2018年
碲锌镉(CdZnTe)是液相外延碲镉汞(HgCdTe)薄膜的最佳衬底材料。获得高质量的CdZnTe衬底表面对于提升红外探测器的性能有着十分重大的意义。针对CdZnTe表面加工技术进行了研究,开发出一种新的化学抛光技术,使得抛光后的CdZnTe表面粗糙度Ra可达0.3 nm。
侯晓敏张瑛侠巩锋
关键词：化学抛光表面粗糙度
溶胶凝胶法制备Al<'3+>:ZnO薄膜及其性能研究
该文采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺在普通Na-Ca-Si玻璃基片上成功地制备出Al<'3+>掺杂型ZnO薄膜.所用的溶胶是以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,乙醇胺为稳定剂反应制得,用浸渍提拉法在基体上镀膜,经烘烤...
巩锋
关键词：溶胶-凝胶法ZNO薄膜透明电极
文献传递
优质碲锌镉单晶的生长及性能测试被引量：7
2004年
采用垂直布里奇曼法(VB)生长出直径为55mm、低位错密度、结构完好的碲锌隔单晶(Cd0.955Zn0.045Te)。通过位错腐蚀坑密度、傅立叶红外透射光谱、X Ray形貌、X射线双晶摇摆曲线对碲锌镉晶体的性能进行了研究。
巩锋周立庆刘兴新董瑞清
关键词：直径形貌单晶摇摆曲线晶体
Si基复合衬底碲镉汞液相外延技术的研究
本文阐述了采用Si基复合衬底,利用液相外延方法成功进行中波碲镉汞薄膜生长的情况,并且采用X光双晶衍射、X光形貌、红外付立叶光谱仪等手段对碲镉汞薄膜进行了表征。Si基复合衬底碲镉汞外延膜晶体结构为单晶,并且它的双晶衍射半峰...
周立庆刘兴新巩锋史文均
关键词：碲镉汞薄膜液相外延双晶衍射
文献传递
3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究被引量：20
2011年
报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化镉薄膜进行了表征,测试分析结果表明碲化镉薄膜的晶向得到了较好的控制,孪晶得到了抑制,且具有较好晶体结构质量和均匀性。
周立庆刘铭巩锋董瑞清折伟林常米
关键词：碲化镉硅基分子束外延
Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究被引量：9
2012年
报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下半峰宽达到90.72 arcsec,原生片位错密度(EPD)小于1×107 cm-2;采用此材料成功制备出了高性能的中波Si基1280×1024碲镉汞探测器。
王经纬巩锋刘铭强宇常米周立庆
关键词：分子束外延RHEED
分子束外延InSb薄膜缺陷分析被引量：1
2014年
实现高温工作已经成为了第三代红外探测器的重要发展方向。为了达到这个目标,首先要降低探测器材料的各种缺陷。本文主要研究了不同生长条件对InSb分子束外延薄膜的晶体质量的影响,并采用金相显微镜、X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜及X射线能谱仪等检测手段对外延膜缺陷进行了研究,综合分析了各缺陷的特征、起因、消除方法等。通过优化外延条件,外延膜宏观生长缺陷最低值达到483 cm-2。
周朋刘铭邢伟荣尚林涛巩锋
关键词：INSBMBE
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