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刘铭

作品数：69 被引量：104H指数：7
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金国家留学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 68篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 22篇分子束
  • 22篇分子束外延
  • 19篇超晶格
  • 18篇红外
  • 15篇碲镉汞
  • 15篇晶格
  • 14篇INSB
  • 13篇探测器
  • 12篇红外探测
  • 11篇INAS/G...
  • 11篇MBE
  • 10篇红外探测器
  • 7篇长波
  • 7篇衬底
  • 6篇碲锌镉
  • 6篇焦平面
  • 5篇暗电流
  • 5篇N型
  • 5篇超晶格材料
  • 4篇晶体

机构

  • 69篇华北光电技术...
  • 3篇中国科学院
  • 1篇北京信息科技...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇空军驻华北地...

作者

  • 69篇刘铭
  • 27篇邢伟荣
  • 27篇周朋
  • 24篇周立庆
  • 17篇尚林涛
  • 14篇王经纬
  • 13篇王丛
  • 10篇高达
  • 9篇折伟林
  • 7篇巩锋
  • 7篇吴亮亮
  • 7篇温涛
  • 6篇李震
  • 5篇沈宝玉
  • 4篇常米
  • 4篇晋舜国
  • 4篇李海燕
  • 3篇强宇
  • 3篇侯晓敏
  • 3篇吴卿

传媒

  • 35篇激光与红外
  • 24篇红外
  • 3篇第十一届全国...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 6篇2023
  • 5篇2022
  • 10篇2021
  • 6篇2020
  • 9篇2019
  • 5篇2018
  • 10篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
共 69 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低损伤碲镉汞长波红外焦平面探测器电极接触孔刻蚀技术研究
2023年
长波碲镉汞材料受结构、组分等因素影响。在制备器件过程中,刻蚀电极接触孔易发生材料损伤,影响芯片的成像性能。利用现有电感耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma,ICP)设备刻蚀长波碲镉汞芯片电极接触孔,采用分步刻蚀以避免损伤。该方法虽可提高芯片的成像质量,但效率低,难以应用于大规模生产。为了提高刻蚀效率和实现器件大规模制备,通过对ICP刻蚀机上下电极射频功率的协同优化,开发出长波碲镉汞芯片电极接触孔一次成型工艺。经中测验证,探测器(长波320×256,像元中心间距为30μm)的盲元率仅为0.26%。该工艺能够实现低损伤电极孔刻蚀,可推广到大批量长波红外芯片制备。
李景峰刘世光宁提刘铭王丹
关键词：长波碲镉汞刻蚀技术
高Al组分In_(1-x)Al_x Sb/InSb的MBE生长研究被引量：1
2016年
高Al（10%~15%）组分的In_（1-x）Al_xSb层可作为势垒层以抑制隧穿暗电流、提高器件工作温度而显得很重要。采用分子束外延的方法对InSb（100）衬底高Al组分的In_（1-x）Al_xSb/InSb外延生长进行了实验探索,确定出了Al组分（约12.5%）并讨论了Al组分梯度递变的In_（1-x）Al_xSb缓冲层和生长温度对外延薄膜质量的影响。
尚林涛刘铭周朋邢伟荣沈宝玉
关键词：高铝薄膜生长
低缺陷Si基碲镉汞分子束外延工艺研究被引量：6
2018年
随着焦平面探测器向超大面阵、小像元方向发展,对盲元率尤其连续盲元、均匀性等要求越来越高。材料表面缺陷已经成为抑制Si基碲镉汞分子束外延(Molecular Beam Epitaxial,MBE)技术在更广范围内应用的一个重要因素。通过解决MBE系统束流稳定性、束流测量的精确性和生长温度控制的稳定性共3个MBE生长碲镉汞材料精确控制的关键问题,以及通过正交试验优化生长参数,将Si基碲镉汞材料缺陷密度控制在500cm^(-2)以内,最优值达到57.83cm-2。
高达王经纬王丛吴亮亮刘铭
关键词：分子束外延
石墨烯基碲镉汞复合材料技术研究被引量：1
2018年
随着红外技术的发展,未来红外探测器向着mK或亚mK灵敏度红外探测系统方面发展,传统探测器已经很难满足需求,光电探测器的响应度亟待提高。主要基于石墨烯材料的独特能带结构、超高载流子迁移率、超宽光谱吸收的特性,结合碲镉汞光电探测材料的极高量子效率性能,研究了具有极高红外辐射响应度、超宽光谱响应范围的新一代石墨烯基复合红外探测材料。
刘铭杜云章周朋陈慧卿喻松林周立庆游聪雅张永哲
关键词：石墨烯碲镉汞复合材料
基于MBE替代硅衬底的材料综述
2020年
主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底。本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向。
李震王亚妮王丛高达周朋刘铭
关键词：MBE衬底CDZNTEHGCDTECDTE
CdZnTe(211)B衬底对MBE外延碲镉汞材料的影响分析被引量：3
2015年
碲锌镉CdZnTe(211)B衬底广泛应用于碲镉汞(HgCdTe)分子束外延生长,其性能参数在很大程度上决定了碲镉汞分子束外延材料的质量。主要讨论了CdZnTe(211)B衬底几个关键性能参数对碲镉汞外延材料的影响,包括Zn组分及均匀性、缺陷(位错、孪晶及晶界和碲沉淀)以及表面状态(粗糙度和化学组成),并且分析了对CdZnTe(211)B衬底进行筛分时各性能参数的评价方法和指标。
吴亮亮侯晓敏王丛王经纬刘铭周立庆
关键词：碲锌镉碲镉汞分子束外延
分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状被引量：2
2019年
目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生长硅基中波及短波碲镉汞材料方面的最新研究进展,并介绍了现阶段MBE生长碲镉汞材料的研究现状。
高达王经纬王丛李震吴亮亮刘铭
关键词：分子束外延材料性能
3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究被引量：20
2011年
报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化镉薄膜进行了表征,测试分析结果表明碲化镉薄膜的晶向得到了较好的控制,孪晶得到了抑制,且具有较好晶体结构质量和均匀性。
周立庆刘铭巩锋董瑞清折伟林常米
关键词：碲化镉硅基分子束外延
Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究被引量：9
2012年
报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下半峰宽达到90.72 arcsec,原生片位错密度(EPD)小于1×107 cm-2;采用此材料成功制备出了高性能的中波Si基1280×1024碲镉汞探测器。
王经纬巩锋刘铭强宇常米周立庆
关键词：分子束外延RHEED
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格电学性能研究被引量：2
2019年
为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺杂对超晶格电学性能的影响。
邢伟荣刘铭周朋周立庆
关键词：INAS/GASB电学性能
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