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夏吉林

作品数：19 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 4篇科技成果
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 9篇相变存储
  • 9篇相变存储器
  • 9篇存储器
  • 6篇底电极
  • 6篇电子领域
  • 6篇微电子领域
  • 4篇电介质
  • 4篇电介质材料
  • 4篇抛光
  • 4篇介质
  • 4篇介质材料
  • 4篇衬底
  • 4篇衬底材料
  • 3篇电流
  • 3篇电子器件
  • 3篇电子束曝光
  • 3篇电子相变
  • 3篇最小尺寸
  • 3篇小尺寸
  • 3篇纳电子器件

机构

  • 19篇中国科学院

作者

  • 19篇夏吉林
  • 18篇宋志棠
  • 18篇封松林
  • 10篇张挺
  • 6篇陈宝明
  • 5篇刘波
  • 3篇刘卫丽
  • 2篇陈鲍尼
  • 1篇陈邦明

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 5篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法
本发明涉及相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法，属于微电子领域。本方法特征在于先在基底上制备10-400nm的过渡层和50-400nm的下电极；接着利用网眼孔径为10-500um的掩膜连续溅射约为10-1000nm的合...
宋志棠张挺夏吉林封松林陈鲍尼
文献传递
纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法
本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50－200nm，间距2－5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩膜板...
宋志棠夏吉林陈宝明张挺封松林
文献传递
相变存储器存储单元设计与关键制备工艺
本论文主要开展了相变存储器存储单元设计与关键制备工艺方面的研究，包括相变材料制备与性能表征，电极材料制备与表征、电路模拟及器件结构优化三个方面。　　 首先，本文简单论述了半导体存储器及非挥发性存储器的发展历程，并简单介...
夏吉林
关键词：相变存储器结构优化
文献传递
一种纳电子相变存储器的制备方法
宋志棠夏吉林刘卫丽刘波封松林
本发明涉及一种纳电子相变存储器的制备方法。属于微电子学中的纳米材料的制造工艺。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO_2。通过曝光、刻蚀，在SiO_2上刻蚀出孔，使下层Al曝露出...
关键词：
关键词：相变存储器
一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法
夏吉林宋志棠封松林
本发明涉及一种减小相变存储器工作电流的单元结构上的改进及其实现方法，属于微电子领域。其特征在于：在加热电极与硫系化合物之间加入一层过渡层，过渡层厚度为10nm－50nm。过渡层材料要求是电阻率比加热电极高，且熔点高于硫系...
关键词：
关键词：相变存储器
纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法
本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50-200nm，间距2-5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩膜板...
宋志棠夏吉林陈宝明张挺封松林
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相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法
本发明涉及相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法，属于微电子领域。本方法特征在于先在基底上制备10－400nm的过渡层和50－400nm的下电极；接着利用网眼孔径为10－500um的掩膜连续溅射约为10－1000nm的合...
宋志棠张挺夏吉林封松林陈鲍尼
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纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法
宋志棠夏吉林张挺封松林
该发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50～200nm，间距2～5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩模板...
关键词：
关键词：纳电子器件
制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响
本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温...
夏吉林刘波宋志棠封松林
关键词：GE2SB2TE5薄膜电学性能相变
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一种纳电子相变存储器的制备方法
本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO<Sub>2</Sub>。通过曝光、刻蚀，在SiO<Sub>2</Sub>上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来...
宋志棠夏吉林刘卫丽刘波封松林
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