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宋志棠
作品数:
1,064
被引量:357
H指数:9
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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国家自然科学基金
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合作作者
封松林
北京工业大学
刘波
中国科学院研究生院
陈后鹏
中国科学院上海微系统与信息技术...
陈小刚
同济大学功能材料研究所
刘卫丽
中国科学院上海微系统与信息技术...
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2006
32篇
2005
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三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片
本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合;利用不高于400...
刘旭焱
张挺
刘卫丽
宋志棠
杜小峰
顾怡峰
成岩
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降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法
本发明涉及一种降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法,属微电子领域。其特征在于:在底加热W电极与硫系化合物薄膜层之间加入一加热层,加热层厚度控制在2~3nm,可选择的加热层用的材料包括ZrO<Sub>2</S...
宋志棠
饶峰
吴良才
封松林
文献传递
一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法
夏吉林
宋志棠
封松林
本发明涉及一种减小相变存储器工作电流的单元结构上的改进及其实现方法,属于微电子领域。其特征在于:在加热电极与硫系化合物之间加入一层过渡层,过渡层厚度为10nm-50nm。过渡层材料要求是电阻率比加热电极高,且熔点高于硫系...
关键词:
关键词:
相变存储器
由Pb过量引起的镧钛酸铅铁电薄膜性能异常的研究
被引量:6
1997年
采用金属有机物热分解法制备了不同La含量和不同Pb过量的镧钛酸铅铁电薄膜.在研究铁电性时发现:薄膜样品在极化达到饱和之前,电滞回线会出现束腰现象,束腰现象只与薄膜中的Pb过量有关.随Pb过量的增加和La含量的减少,镧钛酸铅薄膜电滞回线的束腰程度加剧.在CV特性测试中发现:在Pb过量的样品中,CV曲线会出现异常的四峰现象,随偏压升高或频率增大,异常程度逐渐减弱甚至会转变成正常的双峰.进一步研究表明:这两种实验现象是统一的,可以用铁电薄膜电畴的钉扎效应解释.由于Pb过量使正常的钙钛矿薄膜中出现了多余的PbO相,多余的PbO相部分聚集在晶界和界面上,另一部分存在于晶斑边界中.它们构成了钉扎中心,对电畴产生钉扎作用,在极化电压不太高的情况下,部分电畴不能克服钉扎力的作用,因此产生上述异常现象.Pb过量可能是铁电薄膜产生疲劳和老化的主要原因之一.
宋志棠
任巍
张良莹
姚熹
关键词:
铁电薄膜
一种OTS材料、选通器单元及其制备方法
本发明涉及一种OTS材料、选通器单元及其制备方法。该OTS材料的化学通式为Ga<Sub>x</Sub>S<Sub>1‑x‑y</Sub>R<Sub>y</Sub>。该选通器单元包括该OTS材料。该选通器单元在外部电激励的...
武仁杰
朱敏
贾淑静
宋志棠
文献传递
一种具有数据拆分加密功能的手持设备的使用方法
本发明提供一种具有数据拆分加密功能的手持设备的使用方法,通过拆分加密实现手持设备所存储数据的有效分离存储;在手持设备中向文件系统写数据时以文件为单位将被写入数据基于全文关联变换后拆分成影子文件及主体文件,并将影子文件及主...
李顺芬
陈小刚
周密
李鸽子
宋志棠
文献传递
一种具有配置电路的相变存储器芯片
本发明提供一种具有配置电路的相变存储器芯片,至少包括:存储阵列、行译码器单元、列译码单元、列选择器单元、驱动电路单元、敏感放大器单元、地址缓冲锁存单元、数据缓冲锁存单元、逻辑控制单元、以及配置电路单元。其中,所述配置电路...
蔡道林
陈后鹏
宋志棠
文献传递
可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法
本发明微电子技术领域,公开了可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器的制备方法,其主要特征在于,在P型半导体衬底上形成重掺杂的N型半导体,在重掺杂的N型半导体上方形成一个本征半导体;对本征半导体有间隔的进行刻蚀形成多个位...
李宜瑾
宋志棠
凌云
张超
文献传递
行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法
本发明提供一种行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法,所述类脑芯片中,连线模拟神经元网格中的突触,其中横向连线代表神经元的树突,纵向连线代表神经元的轴突;信号处理核心代表神经元细胞体的功能,其位于行列连线的对角线交叉位...
宋志棠
陈小刚
李喜
宋三年
陈后鹏
文献传递
文件访问方法及系统
本发明提供一种文件访问方法及系统,其应用于包含动态随机存取存储器及非易失性存储器的存储系统。根据本发明的方法,当监测到应用程序打开文件时,先请求进程管理模块在进程虚拟地址空间为文件分配虚拟段地址空间,并建立该文件的数据在...
李顺芬
陈小刚
周密
李鸽子
宋志棠
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