吴征
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级
- 1989年
- 本文用DLTS谱仪研究了SiO_2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。
- 张桂成吴征
- 关键词：发光管INGAASP/INP
- 全文增补中
- GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
- 1989年
- 本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
- 张桂成吴征陈自姚周炳林
- 关键词：发光管双异质结GAAS
- 全文增补中
- InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究
- 1991年
- 本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al_2O_3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al_2O_3的介电常数为11～12,Al_2O_3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在E_c-E_c=0.5eV,其俘获截面约为10^(-15)cm^2,Al_2O_3/InP的界面态密度为10^(11)cm^(-2)eV^(-1)。阳极氧化Al_2O_3的稳定性要比InP自身氧化物好得多,更适于用作器件的钝化保护和扩散掩蔽膜。
- 郭康瑾杜根娣吴征
- 关键词：半导体界面阳极氧化介质薄膜
- GaAlAs/GaAs发光管中深能级与暗缺陷关系
- 1991年
- 本文用 DLTS 和瞬态单电容技术研究了液相外延生长的 GaAlAs/GaAs 有源层掺 Si 器件的深能级,用红外显微镜测量了近场 EL 图像,研究了深能级及暗结构缺陷对器件的影响及它们间的关系。
- 张桂成吴征
- 关键词：发光管深能级砷化镓液相外延生长GAALAS
