张桂成
- 作品数：14 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
- 半导体敏感材料的发展现状被引量：2
- 1989年
- 本文介绍了半导体敏感材料的国内外发展现状。硅半导体材料是敏感元器件的重要基础材料,国内外均已成熟,Ⅲ-V族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料是光敏、磁敏、热敏和气敏等元器件的重要衬底,国内外均有很大发展。但国内半导体敏感材料的品种少、质量差,不能满足敏感元器件迅速发展的要求。只有加强半导体敏感材料的研究、提高质量、增加品种,方能为半导体敏感元器件的更快发展创造条件。
- 张桂成
- 关键词：半导体半导体材料
- 集成化传感器研制现状与发展趋势
- 1989年
- 本文介绍了近年来国内外集成型力敏、磁敏、温敏、光敏、气敏等传感器的研制与开发情况以及未来发展趋势。
- 张桂成
- 关键词：传感器集成化集成电路
- InGaAsP/InP双异质结发光管频响特性的研究
- 1989年
- 本文研究了光纤通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的频响特性。结果表明:器件有源区掺杂浓度;有源层厚度;注入电流;光谱特性;P-n结特性等因素,对发光管的频响特性有重要影响。老化前有源区DSD的存在与否对频响无明显关系。
- 张桂成沈彭年
- 关键词：INGAASP/INP发光管频响特性
- 国内MOCVD化合物半导体材料的新进展
- 1990年
- 金属有机气相沉积法(MOCVD)已受到国内外普遍重视,MOCVD技术所用的关键原材料也已研制成功。近年来,国内采用MOCVD技术在GaAs衬底上已生长出GaAlAs、HgCdTe、ZnSe等异质结材料,以InP、CaF_2作衬底,也生长了某些半导体薄膜材料。
- 张桂成
- 关键词：化学气相沉积法化合物半导体异质结
- Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究
- 1989年
- 本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。
- 张桂成程宗权
- 关键词：双异质结发光管INGAASP/INP
- GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
- 1989年
- 本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
- 张桂成吴征陈自姚周炳林
- 关键词：发光管双异质结GAAS
- 全文增补中
- 国内力敏传感器的研究进展被引量：2
- 1992年
- 近年来，国内力学量传感器的研究与应用已有较大进展，研究内容不断深入，研究范围不断拓宽，器件结构新颖，性能与可靠性有所提高，使应用领域再行扩大．
- 张桂成
- 关键词：力学量传感器力敏传感器
- InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级
- 1989年
- 本文用DLTS谱仪研究了SiO_2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。
- 张桂成吴征
- 关键词：发光管INGAASP/INP
- 全文增补中
- p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用
- 1990年
- 本文研究了p-InP/Ag-zn/Mn系的接触特性和界面互扩散问题。结果表明:该系的比接触电阻与Au-zn系相当。而Ag的内扩散程度较Au低,有利于器件可靠性的改善。该系用作InGaAsP/InP边发光管的p面电极,器件的Rs(?)4—6Ω。
- 张桂成程宗权蒋惠英俞志中
- 关键词：比接触电阻
- GaAs基异质结构材料及其应用被引量：1
- 1990年
- 本文介绍了近年来GaAs异质结构材料及其器件的研究概况以及今后发展趋势。
- 张桂成
- 关键词：砷化镓异质结构材料半导体材料
