张代生
- 作品数：14 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：基础研究重大项目前期研究专项国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程交通运输工程电子电信机械工程更多>>
- 一种制备p+掺杂层与n+前表面场的方法
- 本发明公开了一种n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场的制备方法，属于太阳能电池技术领域。该方法包括在n型晶硅衬底上沉积掺硼非晶硅层，形成第I中间产物；在所述第I中间产物的非晶硅层上沉积氮化硅保护层，形成第II中间产...
- 贾锐张巍陈晨张代生金智刘新宇
- 文献传递
- 前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池被引量：5
- 2013年
- 文章综述了N型背结背接触和背结前接触晶体硅太阳能电池的研究和产业化的最新进展.从原理上阐述了N型背结背接触电池高效率的原因.从研究的角度,综述和点评了国际上几个研究小组在N型背结前接触晶体硅电池方面的研究工作.论述了丝网印刷Al烧结法制备N型背结背接触电池方面的研究进展.
- 陈晨张巍贾锐张代生邢钊金智刘新宇
- 关键词：太阳能电池
- 用于背结-背接触电池的低反射四甲基氢氧化氨表面制绒
- 本文采用具有良好的各项异性腐蚀特性、腐蚀速率高且无金属离子污染的四甲基氢氧化氨(TMAH)方法制备金字塔绒面，通过采用扫描电子显微镜和光学反射谱测试技术探索了不同腐蚀条件包括:不同TMAH浓度、腐蚀时间、腐蚀温度以及不同...
- 孙昀贾锐张代生金智刘新宇
- 关键词：光学特性
- 文献传递
- n型晶体硅太阳电池中简易硼扩散方法的系统研究
- 本文系统研究了扩散时间、N2流量对硼盐酸扩散的影响.不同扩散时间的实验表明，使用这种方法对n型硅片进行扩散，只需要通过调节扩散的时间即可得到不同方块电阻的结；调节N2流量的实验表明，在较大N2流量范围内，通过这种方法得到...
- 张代生贾锐陈晨张巍邢钊
- 关键词：晶体硅硼扩散
- 一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法
- 本发明公开了一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法，包括:在硅片背面整面硼离子注入形成背面发射区;背面沉积碱腐蚀阻挡层;在背面阻挡层上开出BSF窗口，腐蚀去除BSF窗口处的碱腐蚀阻挡层;碱腐蚀去除背面BSF窗口...
- 贾锐邢钊陈晨张巍张代生金智刘新宇
- 文献传递
- 面向产业化的低成本背面浆料烧穿点接触太阳电池
- 全铝背场因其简单低廉的特性而在常规太阳能电池中得到了广泛的应用,但铝推进形成的结表面存在大量的金字塔状的表面结构,导致了严重的表面复合,表面复合速率＞600cm/s.另外大量的铝掺杂原子未激活而形成复合中心,从而导致结内...
- 邢钊贾锐陈晨张巍张代生金智刘新宇
- 关键词：电学性能成本控制
- 文献传递
- 一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法
- 本发明公开了一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法，包括:在硅片背面整面硼离子注入形成背面发射区;背面沉积碱腐蚀阻挡层;在背面阻挡层上开出BSF窗口，腐蚀去除BSF窗口处的碱腐蚀阻挡层;碱腐蚀去除背面BSF窗口...
- 贾锐邢钊陈晨张巍张代生金智刘新宇
- 文献传递
- 晶体硅太阳电池中简易硼扩散方法用于形成均匀发射极研究
- 提出了一种利用硼盐酸进行扩散的方法,将旋涂硼盐酸的硅片作为扩散源,在N2 气氛保护下,1020 ℃扩散12 min 所得到的发射极的方块电阻平均值为65 Ω/□,偏差≤4.2 Ω/□,得到的电池的开路电压高于固态硼扩散的...
- 张代生贾锐陈晨张巍孟彦龙
- 关键词：晶体硅硼扩散
- N 型背结前接触太阳能电池Al-p+发射结钝化研究
- 在n 型单晶硅衬底上丝网印刷铝,随后高温推进形成Al-p+发射结,形成n+np+结构的N 型背结前接触太阳能电池.采用两种模式对Al-p+发射结进行钝化.(a)等离子体增强化学气相沉积SiNx 钝化.(b) 等离子体增强...
- 张巍陈晨贾锐张代生刑钊刘新宇
- 关键词：N
- 一种制备p+掺杂层与n+前表面场的方法
- 本发明公开了一种n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场的制备方法，属于太阳能电池技术领域。该方法包括在n型晶硅衬底上沉积掺硼非晶硅层，形成第I中间产物；在所述第I中间产物的非晶硅层上沉积氮化硅保护层，形成第II中间产...
- 贾锐张巍陈晨张代生金智刘新宇
- 文献传递
