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叶好华

作品数：17 被引量：31H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 11篇氮化镓
  • 11篇气相外延
  • 10篇氢化物气相外...
  • 5篇气相沉积
  • 5篇位错
  • 4篇退火
  • 4篇高温退火
  • 3篇膜表面
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 2篇氮化镓材料
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔阳极氧化...
  • 2篇掩膜
  • 2篇阳极氧化铝
  • 2篇氧化铝模板
  • 2篇生长温度
  • 2篇喷淋
  • 2篇平整度
  • 2篇氢化

机构

  • 14篇中国科学院
  • 3篇浙江大学

作者

  • 17篇叶好华
  • 14篇于广辉
  • 14篇雷本亮
  • 14篇李爱珍
  • 14篇齐鸣
  • 5篇孟胜
  • 2篇黄靖云
  • 2篇叶志镇
  • 1篇吴贵斌
  • 1篇孟兆祥
  • 1篇涂江平
  • 1篇李存才
  • 1篇赵炳辉

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅发光研究进展被引量：7
2002年
硅是间接带隙半导体 ,不能有效地发光。量子理论、超晶格理论和纳米技术的发展 ,给硅基发光研究提供了理论的和技术的支撑。研究者通过不同的途径去实现硅的有效发光 :多孔硅、纳米硅、Si/SiO2 超晶格、计算化设计与硅晶格匹配的直接带隙半导体。
叶好华叶志镇黄靖云
关键词：硅发光多孔硅纳米硅超晶格
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后...
于广辉雷本亮叶好华齐鸣李爱珍
文献传递
一种用于气相沉积的水平式反应器结构
本发明涉及一种用于气相沉积的水平式反应器的结构，其特征在于采用了源气垂直喷淋供给的方式。该反应器结构由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个圆形或者方形的水平腔体构成，整个反应器结构放在水平腔体内，源气和载气进气口和出气...
于广辉叶好华雷本亮李爱珍齐鸣
文献传递
一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
本发明涉及一种改变氢化物气相外延(HVPE)生长的氮化镓(GaN)外延层极性的方法，其特征在于采用了中断HCl生长的方法。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在高温下通NH<Sub>3</Sub>氮化蓝宝石(Sapphir...
雷本亮于广辉齐鸣叶好华孟胜李爱珍
文献传递
水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长被引量：10
2003年
建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH_3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec。
孟兆祥于广辉叶好华雷本亮李存才齐鸣李爱珍
关键词：HVPE流体动力学氮化镓晶体生长
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后...
于广辉雷本亮叶好华齐鸣李爱珍
文献传递
氧化铝模板法制备Ge纳米线被引量：14
2003年
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 .
叶好华叶志镇黄靖云吴贵斌赵炳辉涂江平侯山昆
关键词：氧化铝模板
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为GaN横向外延过生长的掩膜。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上沉积一层金属Al薄层，然后经电化...
雷本亮于广辉齐鸣叶好华孟胜李爱珍
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改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
于广辉叶好华雷本亮齐鸣李爱珍
本发明涉及一种In改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法，特征在于在HVPE生长GaN的过程中采用了In辅助外延生长。由于In的引入，Ga原子的表面迁移长度增加，而这对于生长速度很高的HVPE生长方式非常重要，...
关键词：
关键词：氮化镓气相外延氢化物
一种用于气相沉积的水平式反应器结构
本发明涉及一种用于气相沉积的水平式反应器的结构，其特征在于采用了源气垂直喷淋供给的方式。该反应器结构由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个圆形或者方形的水平腔体构成，整个反应器结构放在水平腔体内，源气和载气进气口和出气...
于广辉叶好华雷本亮李爱珍齐鸣
文献传递
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