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齐鸣

作品数:126 被引量:76H指数:5
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学医药卫生文化科学更多>>

文献类型

  • 62篇专利
  • 41篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 11篇科技成果

领域

  • 56篇电子电信
  • 7篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 30篇氮化镓
  • 21篇气相外延
  • 21篇分子束
  • 21篇分子束外延
  • 20篇氢化物气相外...
  • 20篇半导体
  • 19篇晶体管
  • 16篇异质结
  • 16篇异质结双极晶...
  • 16篇双极晶体管
  • 15篇阳极氧化铝
  • 15篇磷化铟
  • 14篇激光
  • 14篇衬底
  • 12篇厚膜
  • 11篇GAN
  • 10篇退火
  • 10篇气态源分子束...
  • 10篇激光器
  • 9篇腔面

机构

  • 125篇中国科学院
  • 9篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院研...
  • 1篇东南大学
  • 1篇海南师范大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院新...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 125篇齐鸣
  • 68篇李爱珍
  • 42篇徐安怀
  • 41篇于广辉
  • 32篇雷本亮
  • 25篇艾立鹍
  • 21篇张永刚
  • 15篇孙浩
  • 15篇王新中
  • 14篇叶好华
  • 14篇林朝通
  • 12篇孟胜
  • 12篇朱福英
  • 11篇王笑龙
  • 11篇封松林
  • 10篇赵智彪
  • 9篇孙晓玮
  • 9篇刘新宇
  • 9篇曹明霞
  • 8篇吴惠桢

传媒

  • 13篇Journa...
  • 9篇功能材料与器...
  • 4篇稀有金属
  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇光电子.激光
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇电子器件
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国电子科学...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2022
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 8篇2010
  • 10篇2009
  • 10篇2008
  • 15篇2007
  • 24篇2006
  • 10篇2005
  • 15篇2004
  • 9篇2003
  • 3篇2002
  • 2篇2001
126 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT被引量:2
2006年
报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.
苏树兵徐安怀刘新宇齐鸣刘训春王润梅
关键词:MBE双异质结双极晶体管
A 162GHz Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor
2006年
An emitter self-aligned InP-based single heterojunction bipolar transistor with a cutoff frequency (fT) of 162GHz is reported. The emitter size is 0.8μm × 12μm, the maximum DC gain is 120, the offset voltage is 0.10V,and the typical breakdown voltage at Ic = 0. 1μA is 3.8V. This device is suitable for high-speed low-power applications,such as OEIC receivers and analog-to-digital converters.
于进勇严北平苏树兵刘训春王润梅徐安怀齐鸣刘新宇
关键词:INPHBTSELF-ALIGNED
用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用夹具
本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在於高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜1、金属膜2和氧化物保护膜3组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al<Sub>2</Sub>O<Su...
吴惠桢黄占超劳燕锋沈勤我齐鸣封松林
文献传递
气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料
齐鸣徐安怀陈晓杰朱福英艾立鹍李爱珍李存才胡建
解决了GSMBE生长InGaP/GaAs HBT外延材料的关键科学和技术问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的4英寸InGaP/GaAs HBT材料。所发展的超薄层异质外延材料技术,在InGaP/Ga...
关键词:
关键词:GSMBE
一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法
本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法,其结构包括:半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层;P型高掺...
孙浩王伟李凌云艾立鹍徐安怀孙晓玮齐鸣
缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究
InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,...
艾立鹛徐安怀周书星齐鸣
一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具
本发明涉及一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具,其特征在于采用了非接触固定方式,避免产生机械损伤。该夹具由一个不锈钢板上开有宽度为0.15-0.25mm,间距为2-3mm的多条狭缝而制成。使用时只要把解理条...
吴根柱齐鸣李爱珍张永刚
文献传递
一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统
本发明涉及一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统,属于半导体测试技术领域。本发明特征在于采用两个或多个不同波长的单色微光器作为测量光源;用材料的光电导、光伏或光电容等信号作为响应信号,对测量光源进行变频调制,采用锁相放...
张永刚李爱珍齐鸣
文献传递
一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具
本发明涉及一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具,其特征在于采用了非接触固定方式,避免产生机械损伤。该夹具由一个不锈钢板上开有宽度为0.15-0.25mm,间距为2-3mm的多条狭缝而制成。使用时只要把解理条...
吴根柱齐鸣李爱珍张永刚
文献传递
一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
劳燕锋吴惠桢封松林齐鸣
曾被用于Si基材料的直接键合技术近年来在Ⅲ-Ⅴ族材料的组装中得到了广泛应用。与传统外延技术如MBE、MOCVD相比,直接键合过程不会在外延层中额外地引入线位错,这是使该技术在组合不同材料结构中得以应用的重要原因;然而直接...
关键词:
关键词:无损检测磷化铟砷化镓直接键合
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