公共文化服务平台

顾彪: 作品数：74 被引量：324H指数：13; 供职机构：大连理工大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>; 相关领域：电子电信理学化学工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究被引量：3: 2008年; 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。; 王文彦秦福文吴爱民宋世巍李瑞姜辛徐茵顾彪; 关键词：氮化镓玻璃衬底

热电子环结构对阱深和贮能影响的分析: 1991年; 简单磁镜MM-2ECH实验产生的热电子环未能在磁镜中形成磁阱。反磁信号△V为15cmV时,热电子环垂直方向贮能W。为0.317J,最大β_(⊥,max)为1.6％,热电子环在中平面径向平均β⊥为0.9％。局域使增量△B为零,或使增量△∮dl/B为零所需热电子环的贮能W和β_(⊥,max)与热电子环结构(厚度、宽度和位置)有关。; 童洪辉顾彪

(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面被引量：17: 1998年; 用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量结果表明：ＧａＮ薄膜具有典型的闪锌矿结构；三种方法测得其晶格常数为０．４５１～０．４５７ｎｍ；在ＧａＮ／ＧａＡｓ界面处的生长模式为异质外延；ＧａＮ薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错；随着远离界面，ＧａＮ中位错密度与镶嵌组织迅速减少．; 顾彪徐茵孙凯秦福文; 关键词：砷化镓氮化镓

基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD薄膜生长温度分析研究: 2007年; 通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEMOCVD温度的方法。试验表明,置放样品的托盘温度(薄膜的生长的真实温度)与生长环境温度(设定温度)是不一样的,两者的差异甚至很大。最后讨论了在经过校温的系统上进行蓝宝石衬底的氢氮等离子体清洗实验,并通过RHEED图像评价清洗结果质量。; 郎佳红秦福文顾彪; 关键词：热电偶 ECR-PEMOCVD 蓝宝石 RHEED

Thermodynamic Modeling and Phase Diagrams of Hexagonal and Cubic GaN Single-Crystal FilmGrowth by ECR-PEMOCVD Method: 2004年; Based on thermodynamic equilibrium theory,a chemical equilibrium model for GaN g rowth is given in electron cyclotron resonance plasma enhanced metalorganic chem ical vapor deposition (ECR-PEMOCVD) system.Calculation indicates that the growt h driving force are functions of growth conditions:group Ⅲ input partial press ure,input Ⅴ/Ⅲ ratio,and growth temperature.Furthermore,the growth phase diag rams of hexagonal and cubic GaN film growth are obtained,which are consistent wi th our experimental conditions to some extent.Through analysis,it is explained t he reason that high temperature and high input Ⅴ/Ⅲ ratio are favorable for he xagonal GaN film growth.This model can be extended to the similar systems used f or GaN single-crystal film growth.; 王三胜顾彪; 关键词：GAN ECR-PEMOCVD

氮气流量对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响被引量：2: 2008年; 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度c轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)对样品进行检测,研究了在低温(430℃)沉积中氮气流量对GaN薄膜结晶性的影响.并且利用原子力显微镜(AFM)和室温光致发光(PL)谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成.; 王文彦秦福文吴爱民宋世巍刘瑞贤姜辛徐茵顾彪; 关键词：GAN薄膜半导体材料玻璃衬底

节省口线的X84041及其在51单片机系统中的应用被引量：1: 2001年; 文章介绍了X84 0 4 1的性能、特点和工作原理。; 王三胜顾彪; 关键词：EEPROM 单片机汇编程序

GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用被引量：8: 2002年; GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性、材料生长以及在光电器件领域的应用。; 顾彪王三胜徐茵秦福文窦宝锋常久伟邓祥杨大智; 关键词：GAN 材料性质半导体器件半导体材料氮化镓

聚合物表面等离子体接枝共聚改性: 1998年; 聚合物表面等离子体接枝共聚改性张砚臣，顾彪，徐茵（大连理工大学电磁工程系，大连１１６０２４）１实验实验装置由玻璃钟罩放电室、处理室、样品台、０～１ｋＷＲＦ功率源和电感线圈、针阀、氩气源、接枝单体－丙烯酸、Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针测量系统、真空监测系统等组...; 张砚臣顾彪徐茵; 关键词：等离子体接枝共聚改性

常压辉光放电的建立及其特性实验研究被引量：16: 2001年; 常压辉光放电 (APGD)是新近发展起来的一种等离子体源 ,与低气压辉光放电相比更具有工业应用前景 .本文详细介绍我们实验室在大气压条件下建立的均匀稳定、介质垒控制的辉光放电等离子体发生装置 .该放电发生器采用频率为 1 0 k Hz和 2 0 k Hz高压电源 ,平板电极结构 ,电极覆盖绝缘层 ,间隙2～ 3mm,可在多种气体环境下稳定运行 .放电电流波形和电压 -电荷李萨如图形的测量充分表明它确实是常压下的均匀辉光放电 .; 史庆军顾彪邓祥; 关键词：气体放电等离子体