秦福文
- 作品数：119 被引量：239H指数：9
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学动力工程及工程热物理更多>>
- 一种改进的碳化硅MOSFET器件的制备工艺
- 本发明属于微电子器件制备技术领域，一种改进的碳化硅MOSFET器件的制备工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)对步骤1清洗过的碳化硅晶片进行等离子表面处理，(3)在处理后的碳化硅晶片表面沉积...
- 王德君尉升升尹志鹏秦福文于洪权刘兆慧
- 文献传递
- 电子回旋共振微波等离子体增强金属有机化学汽相沉积外延系统与技术
- 一种宽运行气压范围无离子损伤的ECR微波等离子体增强低温外延系统与技术,系统由腔耦合型ECR微波等离子体源、真空系统、配气系统、检测与分析及计算机数据采集与控制系统组成;配置有带差分抽气结构的RHEED,可实现原子尺度控...
- 徐茵顾彪秦福文
- 文献传递
- ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜被引量：1
- 2011年
- 为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型（100）硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）技术交替沉积SiO2/Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验结果表明,在低温下,薄膜以非晶相为主,局部分布有零星的网格状晶化相,随着温度的升高,晶化趋势增加,晶化相颗粒大小在5~8 nm;当H2流量在20~40 mL/min变化时,随着流量的增加,薄膜晶化相增多,纳米硅尺寸在5~10 nm,但H2流量超过30 mL/min后,随着H2流量的增加,薄膜晶化率下降,纳米硅颗粒减少.利用H等离子体原位刻蚀方法,可明显改善薄膜晶化效果,经原位刻蚀处理后纳米晶颗粒尺寸及分布比较均匀,颗粒大小在6 nm左右.
- 胡娟吴爱民岳红云张学宇秦福文闻立时
- 关键词：ECR-PECVD太阳能电池纳米硅
- ECR-PEMOCVD法在GaAs(001)衬底上制备GaN量子点被引量：2
- 2002年
- 报道了用电子回旋共振 (ECR)等离子体增强金属有机化学气相沉积 (PEMOCVD)方法在GaAs(0 0 1)衬底上成功地制备出GaN量子点。原子力显微镜 (AFM)测量表明成核密度高达10 10 cm- 2 ,量子点直径约为 30nm。采用 30 0℃低温氮化 ,6 0 0℃退火和 5 0 0℃缓冲层 ,6 0 0℃退火工艺制备。GaN量子点的密度和大小由制备温度和时间所控制。
- 王三胜顾彪徐茵徐久军秦福文杨大智
- 关键词：ECR-PEMOCVD量子点AFMGAN
- TMGa流量对玻璃衬底上低温沉积GaN的影响被引量：5
- 2010年
- 采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌。结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420～1110nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成。
- 陈伟绩秦福文吴爱民刘胜芳杨智慧姜辛李帅董武军
- 关键词：GAN化学气相沉积玻璃衬底
- ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性被引量：2
- 2007年
- 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.
- 何欢秦福文吴爱民王叶安代由勇姜辛徐茵顾彪
- 关键词：ECR-PEMOCVD稀磁半导体GAMNN室温铁磁性居里温度
- 电子回旋共振微波等离子体增强金属有机化学汽相沉积外延系统与方法
- 一种宽运行气压范围无离子损伤的ECR微波等离子体增强低温外延系统与方法，系统由腔耦合型ECR微波等离子体源、真空系统、配气系统、检测与分析及计算机数据采集与控制系统组成；配置有带差分抽气结构的RHEED，可实现原子尺度控...
- 徐茵顾彪秦福文
- 文献传递
- ECR-PEMOCVD生长GaN RHEED图像研究被引量：2
- 2004年
- 通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)系统上装配反射高能电子衍射仪 (RHEED) ,对外延GaN生长过程进行原位监测。通过分析研究RHEED图像确定衬底清洗、氮化、缓冲层生长。
- 郎佳红顾彪徐茵秦福文曲钢
- 关键词：ECR-PEMOCVDGAN外延层生长
- 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究被引量：3
- 2008年
- 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-Al2O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于c轴方向生长,薄膜保持很好的纤锌矿结构.表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)用来表征薄膜的磁性.SQUID分析表明,薄膜呈铁磁性,铁磁性仅可能来源于三元相GaMnN,薄膜的居里温度高于350K.而且,高Mn的含量可以提高薄膜的居里温度.
- 王叶安秦福文吴东江吴爱民徐茵顾彪
- 关键词：稀磁半导体铁磁性居里温度
- 在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法被引量：1
- 2003年
- 分析了在ECR MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺特点,在此基础上尝试了一种新的氮化方法处理衬底表面,并进行了一系列不同条件下的对比试验,以反射高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)对实验结果进行检测,发现在清洗的过程中加入一定量的氮可以避免单纯氢清洗对衬底的损伤,并取得了比较好的氮化效果。
- 刘国涛徐茵顾彪秦福文周智猛
- 关键词：GAAS氮化GAN薄膜反射高能电子衍射
