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谭卫东

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇外延片
  • 3篇硅外延
  • 3篇硅外延片
  • 2篇英寸
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电力电子器件
  • 1篇电子器件
  • 1篇新型电力电子...
  • 1篇芯片
  • 1篇工艺技术
  • 1篇N型
  • 1篇砷
  • 1篇掺砷
  • 1篇掺砷衬底
  • 1篇衬底
  • 1篇P

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇马林宝
  • 3篇谭卫东
  • 3篇马利行
  • 2篇陆春一
  • 1篇刘六亭
  • 1篇潘文宾
  • 1篇葛华
  • 1篇金龙
  • 1篇杨帆
  • 1篇陶骞
  • 1篇马翔
  • 1篇施国政
  • 1篇骆红
  • 1篇孙健
  • 1篇邓雪华
  • 1篇赵建君
  • 1篇齐步坤

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
4英寸重掺砷衬底N型高阻薄层硅外延片
陆春一马林宝谭卫东马利行刘六亭
该项目产品是肖特基二极管、微波功率晶体管等许多器件的关键原材料，而这些器件的制作对外延材料都有较为特殊的要求，如外延层电阻率、厚度控制精确，外延层与衬底过渡区要尽可能小，外延层晶格完整性好等等。
关键词：
关键词：硅外延片
4英寸P/P+硅外延片批量生产工艺技术
陆春一马林宝谭卫东马利行
该攻关项目所计划的任务，并在成果转化中得到良好的社会经济效益，不但减注了与国际水平的差距，也充分说明科技攻关项目对促进部属院所科技成果转化为生产力起着关键的作用。提升器件生产技术档次，向国际水平靠拢，扩大生产规模，走规模...
关键词：
新型电力电子器件用硅外延片
谭卫东金龙骆红马林宝马利行施国政邓雪华杨帆赵建君孙健齐步坤马翔潘文宾葛华陶骞
1)、主要科学技术内容：该项目主要的研究内容为新型电力电子器件用硅外延片产业化，主要包括：完成了VDMOSFET、SIT的N/N+高阻厚层以及IGBT的N/N+/P++反型多层硅外延结构的研究、高阻厚层硅外延均匀生长控制...
关键词：
关键词：硅外延片电力电子器件芯片
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