马林宝
- 作品数：9 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 3英寸重掺砷衬底高阻厚层硅外延生长技术
- 本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型.
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- 关键词：硅材料外延层
- 文献传递
- 4英寸重掺砷衬底N型高阻薄层硅外延片
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- 该项目产品是肖特基二极管、微波功率晶体管等许多器件的关键原材料，而这些器件的制作对外延材料都有较为特殊的要求，如外延层电阻率、厚度控制精确，外延层与衬底过渡区要尽可能小，外延层晶格完整性好等等。
- 关键词：
- 关键词：硅外延片
- 功率VDMOS器件用硅外延材料研制被引量：2
- 2011年
- 文章阐述了硅功率VDMOS器件的基本原理和器件结构,也展现了作为电力电子器件其广阔的应用领域,提出了功率VDMOS器件对硅外延材料的要求和发展方向。依据功率器件对外延片的要求,通过优化外延工艺程序和优化外延工艺参数,消除或减弱了自掺杂对电阻率均匀性的影响,消除了过渡区对厚度均匀性的影响,也较好地控制了外延层中的结构缺陷和表面形貌,研制出了符合功率器件的大尺寸外延材料。同时,详细研究了硅外延材料参数与VDMOS功率器件电性能参数之间的对应关系,为功率器件的发展和普及奠定了基础。
- 马林宝顾爱军
- 关键词：电阻率厚度均匀性
- 4英寸硅外延片生产中外延层缺陷的分析与控制
- 硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸<111>硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法.
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- 关键词：硅外延片控制方法
- 文献传递
- 4英寸P/P+硅外延片批量生产工艺技术
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- 该攻关项目所计划的任务，并在成果转化中得到良好的社会经济效益，不但减注了与国际水平的差距，也充分说明科技攻关项目对促进部属院所科技成果转化为生产力起着关键的作用。提升器件生产技术档次，向国际水平靠拢，扩大生产规模，走规模...
- 关键词：
- 用于MIMIC电路的GaAs VPE材料
- 程祺祥王秀珍马林宝章叶权
- 1.成果内容简介：自行设计了微机控制立式GaAsVPE设备，其具有独特型式的喷置，有利于减小气流的“死空间”；精巧的Ga舟组合保证外延生长正常进行；衬托旋转。转速可调，有利于改善均匀性；生长过程用微机控制，工艺条件重复性...
- 关键词：
- 关键词：半导体工艺GAAS集成电路汽相外延
- FRED的特性参数及其外延材料的研制被引量：2
- 2012年
- 随着绿色节能产品的发展,高频开关电源的应用越来越深入和广泛。高频大功率开关电路中主开关器件与快恢复二极管(FRED)配合使用,性能良好的FRED对提高开关电源的总体性能是至关重要的。文章对FRED的特性参数给出详细的描述,对一些关键参数与外延层的关系进行了探讨。依据FRED对外延片的特殊要求,选用缺陷低和特殊背损的衬底片,采取特殊外延工艺技术,减少外延层缺陷,使片内均匀性达到2%以下。
- 马林宝肖志强顾爱军
- 关键词：缓冲层
- 新型电力电子器件用硅外延片
- 谭卫东金龙骆红马林宝马利行施国政邓雪华杨帆赵建君孙健齐步坤马翔潘文宾葛华陶骞
- 1)、主要科学技术内容：该项目主要的研究内容为新型电力电子器件用硅外延片产业化，主要包括：完成了VDMOSFET、SIT的N/N+高阻厚层以及IGBT的N/N+/P++反型多层硅外延结构的研究、高阻厚层硅外延均匀生长控制...
- 关键词：
- 关键词：硅外延片电力电子器件芯片
- 4英寸P/P+高阻厚层硅外延片电阻率的精确控制
- 本文讨论了影响P/P<'+>高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层电阻率得到精确的控制.该技术已成功地应用到4英...
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- 关键词：硅外延片电阻率
- 文献传递
