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洪根生

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇熔丝
  • 2篇微电子
  • 2篇反熔丝
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇掩蔽层
  • 1篇介质层
  • 1篇击穿电压
  • 1篇编程
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇罗静
  • 2篇徐静
  • 2篇刘国柱
  • 2篇陈正才
  • 2篇洪根生
  • 2篇王栋

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法
本发明涉及一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底，所述衬底的上部设有场氧及N+扩散区；所述N+扩散区的正上方设置...
刘国柱徐静陈正才洪根生王栋罗静
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一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法
本发明涉及一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底，所述衬底的上部设有场氧及N+扩散区；所述N+扩散区的正上方设置...
刘国柱徐静陈正才洪根生王栋罗静
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