陈正才
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 在厚膜SOI材料中形成图形化半导体埋层的方法
- 本发明公开了一种在厚膜SOI材料顶层硅与介质埋层界面处形成图形化半导体埋层的方法，涉及SOI功率器件的材料制备技术领域，本发明通过a、在顶层硅背面生长阻挡层；b、在阻挡层上淀积光刻胶并刻蚀出掩模图形；c、对顶层硅进行离子...
- 罗小蓉张伟邓浩高唤梅肖志强陈正才王元刚雷天飞张波李肇基
- 文献传递
- 一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法
- 本发明涉及一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底，所述衬底的上部设有场氧及N+扩散区；所述N+扩散区的正上方设置...
- 刘国柱徐静陈正才洪根生王栋罗静
- 文献传递
- 超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性研究被引量：3
- 2009年
- 在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的"反弹"现象[1,2]。文章研究的SOINMOS的阈值电压并没有出现文献中所述的"反弹",原因可能和具体的工艺有关。另外,通过工艺器件仿真和辐射试验验证,SOI器件在超高总剂量辐射后的漏电不仅仅来自于阈值电压漂移所导致的背栅甚至前栅的漏电流,而是主要来自于前栅的界面态的影响。这样,单纯的对埋层SiO2进行加固来减少总剂量辐射后埋层SiO2中的陷阱正电荷,并不能有效提高SOIMOS器件的抗超高总剂量辐射性能。
- 洪根深肖志强高向东何玉娟徐静陈正才
- 关键词：SOI总剂量辐射
- 在厚膜SOI材料顶层硅与介质埋层界面处形成图形化半导体埋层的方法
- 本发明公开了一种在厚膜SOI材料顶层硅与介质埋层界面处形成图形化半导体埋层的方法，涉及SOI功率器件的材料制备技术领域，本发明通过a.在顶层硅背面生长阻挡层；b.在阻挡层上淀积光刻胶并刻蚀出掩模图形；c.对顶层硅进行离子...
- 罗小蓉张伟邓浩高唤梅肖志强陈正才王元刚雷天飞张波李肇基
- 文献传递
- PD SOI BTSNMOS器件的三维SEU仿真
- 2012年
- 采用silvaco软件对抗辐射PD SOI BTSNMOS器件进行了三维SEU仿真。器件建模采用devedit软件,工艺参考标准0.8μm PD SOI工艺平台。器件基于SIMOX SOI材料,其埋氧层厚度为375nm,顶层硅膜厚度为205nm。三维SEU仿真的入射粒子轨迹垂直于器件表面,主要选取了垂直于沟道方向(DS)和平行于沟道方向(PDS)。对比了不同入射粒子轨迹下器件关断状态下漏端电流随粒子入射时间的变化,确定了器件的敏感区域在漏体PN结处,并且越远离体接触的地方,对SEU效应越敏感。
- 徐静陈正才洪根深
- 关键词：SOISEU三维仿真
- 用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS
- 2013年
- 文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料,设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS,包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压,厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入,避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明,薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344 V和340 V。采用文中设计的高压器件,成功研制出200 V高压电平位移电路。
- 陈正才周淼洪根深高向东苏郁秋何逸涛乔明肖志强
- 关键词：LDMOS
- 一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法
- 本发明涉及一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底，所述衬底的上部设有场氧及N+扩散区；所述N+扩散区的正上方设置...
- 刘国柱徐静陈正才洪根生王栋罗静
- 文献传递
- SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应
- 2012年
- 采用0.6μm SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性。辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.04 V。利用Co-60γ源研究存储管的电离总剂量辐射特性,给出了SONOS EEPROM管擦除态、编程态的Id-Vg曲线及阈值窗口随辐射总剂量的变化关系,在辐射总剂量达到500 Krad(Si)时,EEPROM管仍有0.7 V的阈值窗口,可以实现存储电路的设计,并对总剂量辐射引起存储管阈值漂移的机理进行了探讨。
- 陈正才徐大为肖志强高向东洪根深徐静周淼
- 关键词：SONOSEEPROM器件绝缘体上硅
- 基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究
- 2013年
- 由于PD SOI工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂,这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真,发现漂移区必须采用能量高达180 KeV、剂量6×1013以上的P注入才能将P阱反型,形成高压NMOS器件,这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构,可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺,在工艺上容易实现。通过工艺流片验证,器件特性良好。
- 徐静廖聪湘陈正才
- 关键词：SOI
