您的位置: 专家智库 > >

彭强祥

作品数:23 被引量:3H指数:1
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:工业与信息化部工业与信息化部电子信息产业发展基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术金属学及工艺矿业工程更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 11篇红外
  • 10篇探测器
  • 9篇热释电
  • 8篇红外探测
  • 8篇红外探测器
  • 8篇厚膜
  • 6篇电子材料
  • 5篇水热
  • 4篇氧化硅
  • 4篇化学材料
  • 4篇复合材料
  • 4篇PZT厚膜
  • 4篇复合材
  • 3篇氧化锡
  • 3篇元器件
  • 3篇阻挡层
  • 2篇电极
  • 2篇电子元
  • 2篇电子元器件
  • 2篇引脚

机构

  • 23篇电子科技大学

作者

  • 23篇彭强祥
  • 16篇吴传贵
  • 16篇罗文博
  • 15篇张万里
  • 7篇王小川
  • 6篇蔡光强
  • 6篇孙翔宇
  • 6篇柯淋
  • 5篇帅垚
  • 5篇祖小涛
  • 5篇曹家强
  • 4篇李志洁
  • 4篇王治国
  • 4篇陈冲
  • 2篇陈晓勇
  • 1篇李志杰
  • 1篇罗一生
  • 1篇董晓辉

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2009
  • 2篇2008
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
非制冷红外探测器及制备方法
非制冷红外探测器及制备方法,属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括衬底、热敏感单元,热敏感单元包括热敏感薄膜和电极,热敏感薄膜的厚度为50nm-5um,所述热敏感薄膜的材料为VO<Sub>x1</Sub>,或非晶硅,或...
吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里王小川
文献传递
PZT厚膜与Si衬底互扩散阻挡层研究
2013年
在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,利用电泳沉积制备PZT热释电厚膜材料。为防止Pb和Si互扩散,在Pt底电极与SiO2/Si衬底间通过直流磁控溅射制备了TiOx薄膜阻挡层。对具有0、300nm和500nm TiOx阻挡层的PZT厚膜材料用SEM和能量色散谱仪(EDS)表征了Pb和Si互扩散情况,用动态热释电系数测量仪测试了热释电系数。结果表明,当TiOx阻挡层为500nm时,可阻挡Pb和Si互扩散,热释电性能最好。热释电系数p=1.5×10-8 C.cm-2.K-1,相对介电常数εr=170,损耗角正切tanδ=0.02,探测度优值因子Fd=1.05×10-5Pa-0.5。
陈冲吴传贵彭强祥罗文博张万里王书安
关键词:直流磁控溅射
氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜的制备及其光学性能被引量:1
2009年
采用溶胶-凝胶-水热过程制备了氧化硅稳定的氧化锡量子点,然后将其分散到氧化硅溶液中,用旋转涂膜的方法制备光学性能良好的氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜。X射线衍射和高分辨透射电镜表征显示氧化锡量子点具有良好的四方金红石晶型,平均粒径约4.0 nm。室温光致发光显示这种氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜在356 nm和388 nm处分别有很强的激子发光和缺陷态发光。根据透射谱拟合得到了氧化锡量子点薄膜的光学禁带宽度,其值约为3.96 eV。
彭强祥李志杰祖小涛
关键词:溶胶-凝胶氧化锡氧化硅量子点
一种氧化硅改性的硫化锌纳米材料的制备方法
一种氧化硅改性的硫化锌纳米材料的制备方法,属于无机化学材料技术领域,具体涉及硫化锌纳米材料的制备方法。本发明以醋酸锌为锌源,以硅酸钠或者正硅酸乙酯为硅源,以硫化钠为硫源,采用溶胶-凝胶-水热晶化反应过程制备氧化硅改性的硫...
李志洁祖小涛王治国彭强祥
文献传递
一种氧化硅改性的硫化锌纳米材料的制备方法
一种氧化硅改性的硫化锌纳米材料的制备方法,属于无机化学材料技术领域,具体涉及硫化锌纳米材料的制备方法。本发明以醋酸锌为锌源,以硅酸钠或者正硅酸乙酯为硅源,以硫化钠为硫源,采用溶胶-凝胶-水热晶化反应过程制备氧化硅改性的硫...
李志洁祖小涛王治国彭强祥
文献传递
氧化硅稳定的半导体量子点材料的制备及其性质研究
纳米科学涉及多学科领域,是材料科学的一个重要分支,纳米量子点在三维尺度上尺寸小,具有量子限域效应,量子尺寸效应,宏观量子隧道效应,介电限域效应,表面效应等特殊效应。这些特殊效应决定了纳米量子点材料与常规材料相比,性质发生...
彭强祥
关键词:光通讯发光材料光存储透射电镜
文献传递
一种二氧化锡/氧化硅纳米复合材料的制备方法
一种二氧化锡/氧化硅纳米复合材料的制备方法,属于无机化学材料技术领域,具体涉及二氧化锡纳米材料的制备方法。本发明以四氯化锡为锡源,以硅酸钠或者正硅酸乙酯为硅源,采用溶胶-凝胶-水热反应晶化过程制备二氧化锡/氧化硅纳米复合...
祖小涛王治国李志洁彭强祥
文献传递
BST薄膜经时击穿的调控方法
BST薄膜经时击穿的调控方法,属于电子元器件技术领域,本发明包括下述步骤:A、将带有BST薄膜的双电容结构的一个输入电极接地;B、对另一个输入电极施加方波偏压。本发明可以保持BST热释电红外探测器工作在较稳定的漏电流状态...
吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里王小川
文献传递
丝网印刷制备大面积多孔PZT热释电厚膜与器件
2011年
采用丝网印刷法在氧化铝基片上制备了大面积多孔PbZr0.3Ti0.7O3热释电厚膜与单元红外探测器。通过掺入Li2CO3与Bi2O3作为助烧剂,实现了厚膜在850℃下的低温烧结。通过保持合适的孔隙率,将厚膜的相对介电常数降低至原值的1/5以提高材料优值与探测率。厚膜在1 kHz、25℃下的相对介电常数与损耗角正切分别为94与0.017。测试了厚膜相对介电常数与损耗随温度的变化规律,测得其居里温度为425℃。通过动态法测试得到厚膜的热释电系数为0.9×10-8 Ccm-2K-1。使用由斩波器调制的黑体辐射,测得单元器件在8.5~2 217 Hz的电压响应与噪声,计算出器件的探测率为3.4×107~1.7×108cmHz1/2W-1。
吴传贵罗一生彭强祥罗文博张万里
关键词:丝网印刷厚膜PZT热释电
复合材料红外探测器制备方法
复合材料红外探测器制备方法,属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤:1)制备衬底和绝热层,衬底的厚度为0.01-10mm;绝热层的厚度为100nm~50um;2)在绝热层上制备热敏感单元,所述热敏感单元包括热敏...
吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里
文献传递
共3页<123>
聚类工具0