卢洋藩
- 作品数：39 被引量：39H指数：3
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术文化科学理学更多>>
- 一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件
- 本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属...
- 卢洋藩顾建龙叶志镇陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
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- ZnO基透明场效应晶体管
- 本实用新型公开的ZnO基透明场效应晶体管，包括衬底、沟道、源极、漏极、栅绝缘层、栅极和接触电极，其特征是沟道层为p－ZnO薄膜，源极和漏极是掺杂浓度为10<Sup>19</Sup>～10<Sup>21</Sup>cm<S...
- 叶志镇卢洋藩朱群英
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- 一种欧姆接触电极及包含该欧姆接触电极的半导体元件
- 本实用新型公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三...
- 叶志镇顾建龙卢洋藩陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
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- 一种一体式具有隔离功能的样品转移装置
- 本发明提供了一种一体式具有隔离功能的样品转移装置，包括一样品台和罩设于其上的密封罩，所述样品台包括底座和与之固定连接的样品托；所述密封罩包括外密封罩和内密封罩，所述外密封罩用于连接所述样品托和所述内密封罩，所述内密封罩用...
- 卢洋藩刘芙
- Ga-N共掺方法生长p型ZnMgO薄膜及其特性研究
- 本文采用直流反应磁控溅射技术，,利用Ga-N共掺方法,在N2O+O2气氛下、玻璃衬底上制备了ZnMgO薄膜。通过不断优化N2O/O2流量比值和衬底温度，制得了p型ZnMgO薄膜。Hall实验，X射线衍射(XRD)，场发射...
- 胡少华叶志镇高国华简中祥王敬蕊马全保卢洋藩赵炳辉
- 关键词：磁控溅射衬底温度
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- MOCVD生长Na掺杂p型ZnO
- ZnO薄膜的p型掺杂目前仍然是限制ZnO基材料在短波长发光器件方面应用的一个瓶颈,也是当前研究的一个热点和难点。近年来国内外研究者对p型ZnO薄膜的生长及掺杂进行了大量研究,并取得了重要进展,但要将前期的研究成果推广到工...
- 卢洋藩叶志镇
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- 氧化锌基材料的能带结构与光电性能的调控机理及应用
- 叶志镇朱丽萍吕建国何海平金一政袁国栋杨叶锋黄靖云曾昱嘉汪雷潘新花卢洋藩赵炳辉
- 宽带隙半导体氧化锌(ZnO)可发紫蓝光，透明导电；物丰价廉、环境友好，具有可持续发展优势，在白光照明与显示产业均可发挥重要作用，潜力巨大。该项目围绕能带结构和光电性能调控机理展开深入系统研究，这是实现ZnO光电应用亟需解...
- 关键词：
- 关键词：纳米晶材料半导体材料
- Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜被引量：8
- 2006年
- 采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Hall迁移率为0．5cm^2/(V·s),空穴浓度为4．92×10^(17)/cm^3．此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率．
- 卢洋藩叶志镇曾昱嘉陈兰兰朱丽萍赵炳辉
- 关键词：磁控溅射共掺
- Al、N共掺Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备与性能研究
- 2007年
- 采用直流反应磁控溅射方法,由氨气和氧气的混合气体在玻璃和单晶硅衬底上制备Al、N共掺Zn1-xMgxO薄膜。采用XRD、FE-SEM、Hall实验、UV-VIS透射谱以及EDS等方法对共掺Zn1-xMgxO薄膜的结晶性能、电学和光学性能进行研究。结果表明:薄膜有明显的C轴择优取向,玻璃衬底上制备的p-Zn0.9Mg0.1O薄膜的电阻率为8.28Ω.cm,空穴浓度和迁移率分别为1.09×1019cm-3和0.069 cm2/V.s。并且掺Mg的ZnO薄膜透射光谱表现出明显的蓝移。p-Zn0.9Mg0.1O/n-Si异质结的I-V特性曲线表现出明显的整流特性,可以确定制备的Al、N共掺Zn0.9Mg0.1O薄膜的导电类型是p型的。
- 高国华叶志镇简中祥卢洋藩胡少华赵炳辉
- 关键词：直流反应磁控溅射
- 一种p型ZnO的欧姆接触电极及其制备方法
- 本发明公开的p型ZnO的欧姆接触电极，在p型ZnO层上自下而上依次沉积第一电极层和第二电极层，其中第一电极层是金属Ni层，第二电极层是金属Pt层。其制备方法包括在p型ZnO层表面光刻出电极图案，然后采用真空电子束蒸发法在...
- 叶志镇卢洋藩
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