叶志镇
- 作品数：719 被引量：1,143H指数：18
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- n型Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O晶体薄膜及其制备方法
- 本发明的n型Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O晶体薄膜，其n型掺杂剂的掺杂浓度为10<Sup>15</Sup>～10<Sup>21</Sup>cm<Sup>－3</Sup>，载流子浓度为10<...
- 黄靖云叶志镇张银珠赵炳辉
- 文献传递
- 直流反应磁控溅射氧化物光学薄膜及其性能研究
- 1989年
- 本文报道了应用直流反应磁控溅射技术淀积透明的TiO 2、Ta_2O_5、ZnO、Al_2O_3等氧化物光学薄膜。研究了这些氧化物薄膜的光学和机械等性能;讨论了反应溅射的SiO_x薄膜其光学吸收的反应动力学原因;摸索了TiO_2薄膜的性能与溅射镀膜条件的关系;研究了TiO_2薄膜的晶相结构;观察了TiO_2和ZnO薄膜的表面微观形貌。
- 叶志镇唐晋发
- 关键词：磁控溅射光学薄膜氧化物
- 一种二维非晶氧化物半导体与薄膜晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种二维非晶氧化物半导体与薄膜晶体管及其制备方法，所述的二维非晶氧化物半导体厚度为1.0~3.1 nm，室温禁带宽度3.86~5.12 eV，具有明显的量子约束效应，同时表现出二维特性和非晶态结构。在二维非晶...
- 吕建国岳士录陆波静叶志镇
- 文献传递
- 自组装InGaN/GaN量子点的研究进展被引量：2
- 2002年
- GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ Ⅴ族半导体研究的热点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能。总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展 ,从生长模式、发光特性和制造工艺三个方面对InGaN/GaN量子点做了较详细的介绍 。
- 李嘉炜叶志镇Nasser N M
- 关键词：INGAN量子点发光特性
- 一种自驱动全固态葡萄糖生物传感器及其制备方法
- 本发明涉及一种自驱动全固态葡萄糖生物传感器及其制备方法本发明实现了自驱动的葡萄糖浓度探测，在光照和无光照条件下，都能对葡萄糖浓度进行探测，线性探测范围高达2～40mM，能够满足正常人体(3.61～6.11mM)和糖尿病患...
- 黄靖云蔡斌叶志镇
- 文献传递
- Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜被引量：8
- 2006年
- 采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Hall迁移率为0．5cm^2/(V·s),空穴浓度为4．92×10^(17)/cm^3．此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率．
- 卢洋藩叶志镇曾昱嘉陈兰兰朱丽萍赵炳辉
- 关键词：磁控溅射共掺
- UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用被引量：1
- 2005年
- 为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变[1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量.测量结果说明吸收峰接近黑体辐射峰1450nm波长,跃迁几率有所增加,这将大幅度提高热光电池的吸收效率,同时也为SiGe多量子阱中量子效应的存在提供了实验依据.
- 孙伟峰叶志镇朱丽萍赵炳辉
- 关键词：多量子阱黑体辐射
- 一种非极性ZnO晶体薄膜的生长方法
- 本发明的非极性ZnO晶体薄膜的生长方法，采用的是脉冲激光沉积，首先称量ZnO、MnO<Sub>2</Sub>、Na<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>粉末，经球磨、压制、烧结，制得Mn-Na共掺的陶瓷靶；...
- 叶志镇张利强吕建国何海平朱丽萍张银珠
- 文献传递
- Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
- 本发明公开的Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Na<Sub>2</Sub>O的ZnO靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Na<...
- 叶志镇林时胜曾昱嘉赵炳辉陈凌翔顾修全
- 文献传递
- MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展被引量：2
- 2004年
- p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺。使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意。最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展。介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺。
- 赵浙叶志镇
- 关键词：MOCVDP型掺杂光电器件
