许学敏
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 含氮CZ-Si中N-N对的退火行为
- 1991年
- 我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.本文对上述实验结果给予详细的讨论.
- 祁明维谭淞生朱斌蔡培新顾为芳许学敏施天生阙端麟李立本
- 关键词：退火
- 激光再结晶SOM材料及压力传感器研究
- 1989年
- 用CW Ar^+激光对B^+注入(60keV,5×10^(15)cm^(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶,获得了高灵敏度的压阻材料,其GF在30左右。结晶后的晶粒增大到10μm×40μm,且杂质分布均匀,电学性质大大提高。用该材料制备的桥路压力传感器,灵敏度为6mV/V bar,具有良好的输出线性度。
- 邢昆山许学敏林成鲁陈莉芝谭松生邹世昌
- 关键词：传感器SOM
