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顾为芳

作品数:5 被引量:5H指数:2
供职机构:中国科学院上海冶金研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇光谱
  • 2篇红外
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光谱
  • 2篇超导
  • 1篇导体
  • 1篇电流
  • 1篇电流特性
  • 1篇远红外光谱
  • 1篇退火
  • 1篇退火行为
  • 1篇注入电流
  • 1篇绝缘膜
  • 1篇俘获截面
  • 1篇高温超导
  • 1篇TI
  • 1篇XY
  • 1篇YBA
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 4篇中国科学院上...
  • 1篇华东化工学院
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇顾为芳
  • 3篇蔡培新
  • 1篇叶红娟
  • 1篇陆卫
  • 1篇陈建民
  • 1篇李立本
  • 1篇季华美
  • 1篇许学敏
  • 1篇俞志毅
  • 1篇史常忻
  • 1篇李光远
  • 1篇谭淞生
  • 1篇阙端麟
  • 1篇施天生
  • 1篇陈建湘
  • 1篇朱斌

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1989
  • 1篇1983
5 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Ti_xY_(1-x)Ba_2Cu_3O_(7-δ)超导体的红外、远红外光谱被引量:1
1989年
本文报道了Ti_xY_(l-x)Ba_zCu_3O_(7-8)(x=0.2和0.4)在4.2—300K的红外、远红外光谱。在50—360cm^(-1)波段内发现七个反射峰。它们分别与Ba,Cu,O离子团,Y,O离子团。Ti,O离子团,以及Cu--O键的振动有关,对于x=0.2的样品,存在两个反转结构。对于x=0.4的样品,则仅发现一个反转结构。在红外光谱中观察到六个反对峰和三个吸收峰,它们的强度大多随Ti含量的增加而增强。与Y_1Ba_2Cu_3O_(7-8)的光谱结果比校,讨论了声子峰及反转结构的物理起因。
叶红娟俞志毅陆卫季华美陈建湘李光远蔡培新顾为芳
关键词:超导体红外光谱远红外光谱
YBa_2Cu_3O_(7-δ)中Cu-O伸缩振动的红外吸收峰被引量:2
1993年
根据YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导定向膜经不同温度退火后的红外反射光谱和不同掺Zn量的YBa_2Cu_(3-z)Zn_xO_(7-δ)的红外吸收光谱在500-700厘米^(-1)特征峰的变化,进一步讨论了YBa_2Cu_3O_(7-δ)中Ba-Ba层间和Y-Ba层间Cu-O键伸缩振动的三个红外吸收峰强度变化的本质。用红外入射光穿透深度随Y系样品电阻率提高而增大和对应二维CuO_2网络中Cu-O反称振动吸收的590厘米^(-1)峰强度变化不受氧缺位影响的事实,说明590厘米^(-1)的吸收峰不是氧缺位诱导的准局域振动模。同时对620厘米^(-1)和550厘米^(-1)吸收峰的解释也给予了必要的补充和验证。
蔡培新陈建民顾为芳
关键词:高温超导红外光谱
用光注入电流衰减测量绝缘膜中陷阱的俘获截面
1983年
MOS结构中光注入时外电路电流特性与绝缘膜中陷阱俘获截面密切相关.本文给出了外电路电流的时间衰减关系.借此,可以方便地测量陷阱的俘获截面.该方法可以应用于非硅衬底的金属-绝缘膜-金属(MIM)结构中.
史常忻顾为芳
关键词:俘获截面电流特性绝缘膜
含氮CZ-Si中N-N对的退火行为
1991年
我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.本文对上述实验结果给予详细的讨论.
祁明维谭淞生朱斌蔡培新顾为芳许学敏施天生阙端麟李立本
关键词:退火
共1页<1>
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