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任佳栋

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇涂布
  • 2篇相变
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光阻
  • 2篇表面涂布
  • 1篇电介质
  • 1篇热损失
  • 1篇介质
  • 1篇刻蚀技术
  • 1篇存储器
  • 1篇存储器件

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇徐佳
  • 2篇宋志棠
  • 2篇冯高明
  • 2篇任佳栋
  • 2篇朱南飞
  • 2篇刘波

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
相变存储结构及制作方法
本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在...
李俊焘刘波宋志棠冯高明朱南飞任佳栋徐佳
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相变存储结构及制作方法
本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在...
李俊焘刘波宋志棠冯高明朱南飞任佳栋徐佳
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