陈新宇
- 作品数：70 被引量：84H指数：5
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：上海汽车工业科技发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 宽带GaAs MESFET开关模型被引量：4
- 2003年
- 提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 。
- 陈新宇徐全胜陈继义陈效建郝西萍李拂晓蒋幼泉
- 关键词：开关模型MESFET金属半导体场效应晶体管GAAS砷化镓等效电路
- 一种超低插损砷化镓射频开关被引量：4
- 2003年
- 报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V)
- 蒋幼泉李拂晓黄念宁钮利荣陈新宇邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓射频开关手机单刀双掷
- 一款用于5 G功率放大器的分段线性温度补偿偏置电路被引量：1
- 2019年
- 实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器所需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内功率放大器增益线性化。同时通过分段电流舵型DAC灵活调整偏置电流的大小,将功率放大器偏置在合适工作点的同时降低开关噪声。该偏置电路采用Jazz 0.18μm SOI工艺实现。测试结果表明:在-30~30℃温度区间内,电流补偿斜率为14.9%;在30~90℃温度区间内,电流补偿斜率为29.6%,电流斜率的精度均在1.5%以内;室温下偏置电流的线性调整率为1.4%,输出偏置电流在20.2~1 022.0μA范围内可调。采用该偏置电路的一款功率放大器输出功率典型值为28dBm,误差矢量幅度(EVM)在-30~90℃温度区间内小于3%。
- 李亚军李晓鹏李晓鹏蒋东铭张有涛杨磊
- 关键词：偏置电路功率放大器温度补偿电流舵
- 单片低噪声HBT VCO被引量：3
- 1998年
- 报道一组单片HBTVCO电路的设计、制作及其测试结果。电路采用HBT作为有源器件，PN结二极管作为变容管。S波段单片VCO的输出功率为0dBm，调谐范围100MHz，在载波频率2．84GHz处，相位噪声为－80dBc／Hz＠100kHz。以C波段单片HBTVCO的输出功率为－10dBm。这些结果表示HBT在微波与毫米波振荡器运用中具有较好的低相位噪声特性。
- 陈新宇林金庭陈效建
- 关键词：异质结晶体管压控振荡器微波集成电路HBT
- GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片被引量：3
- 2013年
- 采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。
- 蒋东铭陈新宇杨立杰黄子乾
- 关键词：毫米波砷化镓PIN二极管单刀双掷开关微波单片集成电路
- 基于LTCC技术的手机天线开关滤波器
- 2013年
- 采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSM1 800/1 900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。
- 朱彦青许正荣戴雷陈新宇
- 关键词：低温共烧陶瓷低通滤波器
- 应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器被引量：3
- 2015年
- 设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=＋5V、VReg=VPdown=＋2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM（误差矢量幅度）值小于3%（输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s）,可以满足WLAN应用对线性度的需求。
- 何旭郑远朱彦青陈新宇杨磊
- 关键词：无线局域网线性功率放大器异质结双极型晶体管误差矢量幅度
- 1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器
- 本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益G...
- 郑远吴健艾萱应海涛陈新宇钱峰邵凯
- 关键词：功率放大器芯片分析
- 文献传递
- MEMS开关的测试与模拟
- 本文论述了微波MEMS开关的测试与模拟.开关为金属膜组成的桥式结构,其插入损耗和隔离性能取决于开态和关态的电容.采用微波在片测试系统,对开关进行了测试和模型提取,模型模拟值与测试值基本吻合.
- 陈新宇朱健郝西萍李拂晓林金庭
- 关键词：MEMS开关开关结构
- 文献传递
- 移动通信用射频多芯片模块
- 2013年
- I阜j京电子器件研究所国博电子有限公司研制开发了一款集成了砷化镓增益放大器、数控衰减器乖lJ硅驱动器的可变增益模块，模块总尺寸为5mm×5mm×lmm，其内部结构见图l。从技术角度来看，该MCM体现了集成电路多功能集成、小体积、低成本的发展趋势。首先，它将衰减、放大、驱动器等不旧工艺的多种芯”集成在高密度封装内，减小了产品尺寸，降低了成本。其次，采用MCM封装，通过合理布线，有效地解决了芯片之间电磁干扰的问题。
- 许正荣郑远张有涛艾萱陈新宇杨磊
- 关键词：多芯片模块数控衰减器高密度封装射频信用
