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张有涛

作品数：60 被引量：41H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金毫米波国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 55篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 20篇电路
  • 16篇转换器
  • 14篇INP
  • 11篇射频
  • 11篇数模
  • 11篇晶体管
  • 9篇数模转换
  • 9篇数模转换器
  • 9篇模转换
  • 9篇模转换器
  • 9篇分频
  • 9篇分频器
  • 8篇超高速
  • 8篇GAAS
  • 7篇砷化镓
  • 7篇数字射频
  • 7篇数字射频存储
  • 7篇芯片
  • 7篇磷化铟
  • 6篇数字射频存储...

机构

  • 51篇南京电子器件...
  • 21篇南京国博电子...
  • 13篇中国科学院
  • 10篇东南大学
  • 7篇中国电子科技...
  • 5篇南京邮电大学
  • 2篇南京国博电子...
  • 1篇南京理工大学
  • 1篇中国空间技术...

作者

  • 60篇张有涛
  • 22篇李晓鹏
  • 14篇张敏
  • 14篇陈新宇
  • 12篇夏冠群
  • 10篇程伟
  • 10篇李拂晓
  • 9篇杨磊
  • 8篇杨乃彬
  • 8篇陆海燕
  • 8篇高建峰
  • 7篇王元
  • 6篇陈堂胜
  • 6篇钱峰
  • 5篇孔月婵
  • 5篇常龙
  • 4篇王志功
  • 4篇许正荣
  • 4篇周建军
  • 4篇张翼

传媒

  • 31篇固体电子学研...
  • 6篇Journa...
  • 3篇微波学报
  • 2篇电子技术应用
  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇电子与封装
  • 1篇2004全国...
  • 1篇2010’全...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 6篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 7篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 7篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2002
共 60 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
2Gbps GaAs单片4bit数模转换器的设计与实现
2006年
详述了单片超高速2G bps G aA s 4b it数模转换器(DAC)的设计、制造及测试。在南京电子器件研究所标准76 mm G aA s工艺线采用0.5μm全离子注入M ESFET工艺完成流片。芯入输入输出阻抗实现在片50Ω匹配。4 b it DAC的微分非线性(DN L)为±0.22最低有效位(LSB),积分非线性(IN L)为±0.45LSB,达到5.2 b it的转换精度。该单片电路提供差分互补输出,长周期输出特性无漂移。其最高转换速率可达2 G bps,建立时间小于250 ps,电路核心部分功耗为110 mW。
张有涛夏冠群高建峰李拂晓
关键词：数模转换器超高速砷化镓金属半导体场效应晶体管
一种多奈奎斯特域数模转换器
本发明公开了一种多奈奎斯特域数模转换器，包括依次连接的K:1 LVDS并串转换器、编码器、集成归零控制的锁存器和基于R‑2R 梯形网络的数模转换器核心单元；其中，并串转换器将输入的N*K位低速数据转换成N位高速数据，其中...
李晓鹏张有涛张敏
文献传递
基于InP HBT的SFDR>63 dB 12位6 GS/s高速数模转换器被引量：1
2020年
基于0.7μm、ft=280 GHz的InP异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款12位6 GS/s的电流舵型数模转换器(DAC)。通过改进电流源开关结构,增大了输出阻抗和稳定性;在DAC输出端引入去毛刺(Deglitch)电路,可以有效消除高速DAC开关切换期间产生的毛刺,从而提升电路无杂散动态范围(SFDR)。仿真结果表明,电路实现了0.75 LSB的DNL和0.5 LSB的INL,去毛刺电路可以在高频下将DAC的SFDR提升10 dB,并且在整个奈奎斯域内实现SFDR>63 dB,极大地提升了DAC的动态特性。
王铭张有涛叶庆国罗宁李晓鹏
关键词：电流舵INPHBT
一种二极管桥式跟踪保持电路设计
2013年
设计了一种基于二极管桥的两级全差分跟踪保持电路,两级模块由独立的时钟控制,可以各自工作在跟踪模式。芯片采用1μm GaAs HBT工艺实现,芯片大小为1.8mm×2mm,功耗2.75W。经测试,电路可以工作在1GS/s采样速率下,单端输入峰峰值250mV信号时采样带宽超过7GHz;单端输入峰峰值250mV,DC-2GHz信号时,电路具有8bit有效位。
曲俊达张有涛钱峰
关键词：异质结双极晶体管
16 Gb/s GaN数模转换器芯片
2017年
南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）0．1μm GaN工艺，采用f1／fmax分别为100GHz／165GHz的耗尽型晶体管设计，首次研制出16Gb／s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1．20mm×0．15mm。
张有涛孔月婵张敏周建军张凯
关键词：DAC芯片B/SGAN晶体管设计耗尽型
一种多通道时钟交织的超高速数模转换器
本发明提出的是一种多通道时钟交织的超高速数模转换器，其特征在于主体包括LVDS数据接口电路、DAC阵列、多通道交织网络和时钟链路；数据接口电路与DAC阵列连接，将外部输入的LVDS电平的高速数据转换为CMOS电平数据送给...
叶庆国张有涛李晓鹏
相位体制数模转换器动态参数的表征与测试
2006年
详细分析并讨论了相位体制数模转换器(DAC)动态参数的表征方法,提出用无杂散动态范围(SFDR)、近区谐波失真(TH D 6)、有效工作带宽(EW B)、输出信号功率及正交输出信号幅度一致性来全面描述相位DAC的频域性能。采用上述方法对利用南京电子器件研究所标准76 mm G aA sM ESFET全离子注入工艺流片得到的3b it相位DAC进行了频域测试。结果显示其EW B大于1.5 GH z,转换速率大于12 G bps,全频带内输出信号的正交精度低于4%,幅度一致性低于26%(大多数测试点低于10%)。在500 MH z输入信号下,其SFDR、TH D 6分别为33.8 dB c-、33.7 dB c。该相位DAC的动态参数良好,尤其正交性能优异。
张有涛夏冠群李拂晓高建峰
关键词：动态参数谐波
基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器被引量：1
2014年
磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～60GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～92GHz范围内实现二分频。
程伟张有涛王元陆海燕赵岩杨乃彬
关键词：HBT工艺静态分频器超高速INP异质结双极型晶体管电路应用
单通道8bit 1.4 GS/s折叠内插ADC
2011年
基于0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种8 bit 1.4 GS/s ADC。芯片采用多级级联折叠内插结构降低集成度,片内实现了电阻失调平均和数字辅助失调校准。测试结果表明,ADC在1.4 GHz采样率下,有效位达6.4bit,功耗小于480 mW。文章所提的综合校准方法能够有效提高ADC的静态和动态性能,显示出其在超高速ADC中的必要性。
张有涛李晓鹏张敏刘奡钱峰陈辰
关键词：折叠内插
移动通信用射频多芯片模块
2013年
I阜j京电子器件研究所国博电子有限公司研制开发了一款集成了砷化镓增益放大器、数控衰减器乖lJ硅驱动器的可变增益模块，模块总尺寸为5mm×5mm×lmm，其内部结构见图l。从技术角度来看，该MCM体现了集成电路多功能集成、小体积、低成本的发展趋势。首先，它将衰减、放大、驱动器等不旧工艺的多种芯”集成在高密度封装内，减小了产品尺寸，降低了成本。其次，采用MCM封装，通过合理布线，有效地解决了芯片之间电磁干扰的问题。
许正荣郑远张有涛艾萱陈新宇杨磊
关键词：多芯片模块数控衰减器高密度封装射频信用
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