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郎维和

作品数：6 被引量：9H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇红外
  • 4篇晶体
  • 3篇碲镉汞
  • 2篇探测器
  • 2篇碲镉汞晶体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇红外材料
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇MCT
  • 1篇杜瓦
  • 1篇溶剂法
  • 1篇数值模拟
  • 1篇区熔
  • 1篇全金属
  • 1篇碲锌镉
  • 1篇温度关系
  • 1篇晶体退火
  • 1篇控制研究
  • 1篇光学

机构

  • 5篇华北光电技术...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 6篇郎维和
  • 3篇王金义
  • 3篇刘克岳
  • 1篇严北平
  • 1篇刘家璐
  • 1篇罗宏伟
  • 1篇张廷庆
  • 1篇张学仁
  • 1篇常米
  • 1篇于小兵
  • 1篇赵宏
  • 1篇赵振香
  • 1篇孙程
  • 1篇吴玮

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇激光与红外
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
外延衬底用CdZnTe晶体进展被引量：4
1997年
文中简要介绍了CdZnTe晶体用作HgCdTe外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了CdZnTe晶体的生长方法及其特点，总结了影响CdZnTe晶体生长和晶体质量的因素，提出CdZnTe晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。
刘克岳王金义郎维和
关键词：晶体生长碲锌镉
全金属160光元导MCT微型杜瓦的研制及应用
该文报导长波160元MCT红外探测器用全金属微型杜瓦的研制及达到的技术参数和使用结果
郎维和于小兵吴玮孙程
关键词：红外探测器杜瓦
文献传递
MCT晶体退火压力─温度关系及其分析
1997年
采用热重法对组分不同（x＝0．15～0．26、y＝0．50～0．54）的（Hg1-xCdx）1-yTey晶体s－g平衡体系进行了P－T关系测量（T＜560℃、P=2～76kPa）；发现x值不同的样品对P-T的影响不明显；y值偏离（y≥0．504）的样品在420±5℃有PHg降，并对此进行了分析，提出了利用此现象可以减少MCT晶体中的富Te量和改善Te组分均匀性；补充了51kPa以下的P－T数据，通过与传统相图的比较发现MCT的相存在区缩小，特别是在10kPa以下，Te饱和线逐渐向Hg饱和线靠拢，并对本征线的可能位置进行了分析。通过该研究为MCT晶体造火条件提供了精确的选择范围。
刘克岳赵振香王金义郎维和
关键词：碲镉汞晶体退火红外光学材料
碲镉汞晶体研制及应用被引量：1
1995年
本研究的目的在于实现８～１２μｍＨｇＣｄＴｅ晶体的商品化。文中介绍了其生长工艺和性能检测，用付里叶红外光谱仪测得标准组分偏差△＝０．００４，测得原生晶体的空穴浓度可低达７．０３×１０１６／ｃｍ３热处理后，晶体的Ｎｎ和μｎ分别为３．４～５．７×１０１４／ｃｍ３和（２．０６～２．２９）×１０５ｃｍ２／ｖ．ｓ用以上材料制成２４元至１６０元光导红外探测器阵列及３２元至６４元光伏红外探测器阵列，其实验数据表明所研制的晶体均能满足不同应用之需要。
郎维和
关键词：碲镉汞晶体红外探测器
碲溶剂法生长碲镉汞晶体的数值模拟被引量：2
1998年
提出了碲溶剂法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型．该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组，熔区自由边界通过相图来确定．采用有限差分法完成了组分ｘ＝０２的长波碲镉汞晶体生长过程的数值模拟．讨论了液相区温度场分布、加热器移动速度、液相区长度和生长界面温度对生长碲镉汞晶体轴向组分的影响．
刘家璐张廷庆罗宏伟严北平郎维和张宝峰
关键词：碲镉汞数值模拟红外材料
Te溶剂垂直区熔法生长φ20MCT晶体组分控制研究被引量：2
1996年
采用Ｔｅ作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了φ２０ＭＣＴ晶体的生长研究；详细阐述了该方法ＭＣＴ晶体的生长过程和生长机理；总结和分析了晶体生长过程中影响组分的因素；提出了生长过程中组分控制存在的问题和改善组分控制的措施。通过该研究，优化了生长条件，采取了适当的温度分布（窄的高温区、大的温度梯度）和降低液区高度等有效措施，获得了φ２０、轴向组分波动小（长波段可利用率高达７０％）、径向组分均匀（△ｘ＝±０．００１５）的ＭＣＴ晶体，并利用此材料作出了一系列性能良好的多元光导、光伏红外探测器件。
刘克岳郎维和王金义张学仁李美荣常米赵宏
关键词：HGCDTE晶体生长红外材料
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