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张学仁

作品数:3 被引量:11H指数:2
供职机构:华北光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇红外
  • 2篇探测器
  • 2篇晶体
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇HGCDTE
  • 1篇速率
  • 1篇区熔
  • 1篇温度梯度
  • 1篇晶体生长
  • 1篇控制研究
  • 1篇红外材料
  • 1篇TE
  • 1篇CDZNTE
  • 1篇垂直区熔法

机构

  • 3篇华北光电技术...

作者

  • 3篇张学仁
  • 3篇王金义
  • 3篇赵宏
  • 2篇刘克岳
  • 1篇张友
  • 1篇张华山
  • 1篇常米
  • 1篇张建平
  • 1篇郎维和

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇2002年全...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2000
  • 1篇1996
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制被引量:9
2000年
阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd Zn Te衬底制备过程中 ,晶片处理的工艺和步骤 (晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀 ) ;报道了目前 Cd Zn Te晶体的性能水平、晶片处理结果和 Cd Zn Te的应用情况。
刘克岳王金义张学仁赵宏张健平
关键词:CDZNTE红外探测器
Te溶剂垂直区熔法生长φ20MCT晶体组分控制研究被引量:2
1996年
采用Te作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了φ20MCT晶体的生长研究;详细阐述了该方法MCT晶体的生长过程和生长机理;总结和分析了晶体生长过程中影响组分的因素;提出了生长过程中组分控制存在的问题和改善组分控制的措施。通过该研究,优化了生长条件,采取了适当的温度分布(窄的高温区、大的温度梯度)和降低液区高度等有效措施,获得了φ20、轴向组分波动小(长波段可利用率高达70%)、径向组分均匀(△x=±0.0015)的MCT晶体,并利用此材料作出了一系列性能良好的多元光导、光伏红外探测器件。
刘克岳郎维和王金义张学仁李美荣常米赵宏
关键词:HGCDTE晶体生长红外材料
碲锌镉晶体材料的研究
采用垂直布里奇曼法生长出直径45mm的碲锌镉晶体,经过切割、磨抛工艺制备出晶片厚度1.0mm、(111)面碲锌镉晶片.经过测量,碲锌镉晶体材料的性能为:成晶率≥60﹪(2.5-25μ m),为红外焦平面技术中的碲镉汞液相...
张华山王金义张学仁张建平张友赵宏
关键词:温度梯度红外探测器
文献传递
共1页<1>
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