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罗志强

作品数:4 被引量:21H指数:2
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇热丝
  • 2篇淀积
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇热丝法
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇非晶硅
  • 2篇非晶硅薄膜
  • 1篇单晶
  • 1篇电池
  • 1篇太阳电池
  • 1篇锑化镓
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇简并
  • 1篇硅烷
  • 1篇PECVD

机构

  • 4篇北京有色金属...

作者

  • 4篇罗志强
  • 2篇吴瑞华
  • 1篇邓志杰
  • 1篇刘莉
  • 1篇刘嘉禾
  • 1篇屠海令
  • 1篇黎建明
  • 1篇郑安生
  • 1篇王世昌

传媒

  • 3篇稀有金属

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 2篇1998
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
硅薄膜的热丝法淀积被引量:15
1999年
系统地研究了热丝化学气相沉积技术中沉积气压、气体流量、钨丝温度、衬底温度对硅薄膜的结构、生长速率和光电性能的影响。通过优化各工艺参数。
罗志强吴瑞华刘莉王世昌刘嘉禾
关键词:热丝法非晶硅薄膜多晶硅薄膜PECVD
掺锌(100)GaSb单晶的生长被引量:4
2001年
采用LEC方法研制出掺锌 (10 0 )GaSb单晶 ;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数keff约为 0 84± 0 0 1,沿晶体生长方向随着锌浓度的提高 ,位错密度缓慢增加 ,数值约为 (2~ 3.2 )× 10 3cm-2 ,当掺锌浓度大于 3× 10 19cm-3 以后 ,GaSb发生简并 ,载流子浓度随掺锌浓度的增加缓慢提高。采用重掺锌母合金作掺杂剂 ,可减少锌的损失 。
黎建明屠海令郑安生邓志杰罗志强
关键词:位错密度简并掺杂锑化镓晶体生长
热钯丝在硅烷气氛下的奇异行为及其解释被引量:2
1998年
报道了热钯丝在低压硅烷气氛下的奇异行为,并给出了初步的解释。揭示了常规热丝法薄膜淀积工艺中热钨丝易断裂的原因。
吴瑞华罗志强
热丝法淀积硅薄膜的研究
非晶硅太阳电池普遍采用PECVD(等离子体增强CVD)法制备各层非晶硅薄膜,由于PECVD法制备出的非晶硅薄膜存在较严重的光致衰退性,严重地制约了它的推广应用.为解决非晶硅薄膜的光致衰退性,作者进行了用一种新的薄膜制备方...
罗志强
关键词:热丝法非晶硅薄膜多晶硅薄膜太阳电池
共1页<1>
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