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刘莉

作品数：2 被引量：15H指数：1
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇非晶硅
  • 1篇淀积
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇热丝
  • 1篇热丝法
  • 1篇吸除
  • 1篇吸除技术
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅片
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇半导体
  • 1篇PECVD
  • 1篇PECVD法

机构

  • 2篇北京有色金属...

作者

  • 2篇刘莉
  • 1篇刘嘉禾
  • 1篇吴瑞华
  • 1篇罗志强
  • 1篇王世昌
  • 1篇秦福

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究
1998年
本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术．该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００～８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０～６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光．结果表明，该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷，同时硅片表面层少子寿命可提高２～４倍．
刘莉秦福
关键词：半导体硅片非晶硅PECVD法吸除技术
硅薄膜的热丝法淀积被引量：15
1999年
系统地研究了热丝化学气相沉积技术中沉积气压、气体流量、钨丝温度、衬底温度对硅薄膜的结构、生长速率和光电性能的影响。通过优化各工艺参数。
罗志强吴瑞华刘莉王世昌刘嘉禾
关键词：热丝法非晶硅薄膜多晶硅薄膜PECVD
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共1页<1>
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