杨锡权
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法
- 1998年
- 利用ＳＩＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性。
- 周滨杨锡权王占国
- 关键词：SI-GAASEL2补偿度
- 集成电路用砷化镓材料与器件关系的研究
- 林兰英陈涌海王占国张砚华范缇文邓兆杨杨锡权任光宝万寿科吴
- 该成果：提出了半绝缘ＧａＡｓ的多能级补偿模型，首次从理论上解释了半绝缘材料在热处理或工艺过程中变中阻和转型问题，指出制备良好热稳定材料必须具备的条件；从理论上分析了产生增台光电流的物理机制，得到了半绝缘ＧａＡｓ的电学补偿...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓集成电路
- 应变自组装量子点材料和量子点激光器
- 研制出高质量的GaAs基In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InGaAs/GaAs体系应变自组装量子点材料,发光波长覆盖从红光(约750nm)到近红外光(1.3μm)的范围。量子点...
- 徐波王占国梁基本韩勤龚谦刘会贇姜卫红魏永强丁鼎钱家骏刘峰奇张金福张秀兰张元常吴巨陈涌海杨锡权叶小玲
- 关键词：量子点量子点激光器INAS
- 文献传递
- Sl-GaAs单晶的热稳定性研究
- 1991年
- SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光谱分析发现此晶体存在6.7×10^(15)cm^(-3)Fe杂质,其他两种方法观察到一个～0.62eV深能级.文中推测这是与杂质Fe有关的深受主,认为它对不掺杂LBC SI-GaAs单晶的热稳定性可能有重大影响.
- 曹福年杨锡权刘巽琅吴让元惠峰何宏家
- 关键词：SI-GAAS热稳定性离子注入
- SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究被引量：3
- 1991年
- 本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶热不稳定的本质进行合理解释,而且还为研制高热稳定的GaAs材料提供了科学依据.
- 王占国戴元筠徐寿定杨锡权万寿科孙虹林兰英
- 关键词：热稳定性电学补偿
- EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探被引量：7
- 1994年
- 本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前因补偿受主而已经电离的一部分ＥＬ２中心在近红外光照射下可通过从价带和其它深能级得到电子而被淬灭，使材料的费米能级下降，在价带中留下大量寿命很长的空穴，使光电导出现再上升．我们还发现ＥＰＣ的饱和值与材料的电子补偿度及热稳定性有一定的联系．
- 徐波王占国万寿科孙红张辉杨锡权林兰英
- 关键词：费米能级砷化镓单级
