公共文化服务平台

林兰英: 作品数：147 被引量：260H指数：7; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

退火直拉硅中小于10nm的微缺陷: 直拉硅中氧的浓度高达10at/cm,在器件工艺的热处理过程中,会产生氧的沉淀或形成硅氧团(SiO)。经过650℃下较长时间热处理所形成的与氧有关的缺陷,在表观上起施主陷阱中心的作用,引起硅片电阻率的漂移,影响器件的阈值电...; 钱家骏王占国万寿科林兰英; 文献传递

图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究被引量：2: 1999年; 本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子，并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．; 吴正龙姚振钰刘志凯张建辉秦复光林兰英; 关键词：金属硅化物钴

GaAs／AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究被引量：3: 1995年; 本文采用三角阱近似，计算了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）电子只占据基态子带时，由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质、合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、２ＤＥＧ浓度、本底电离杂质沈度、以及界面不平整度等的关系．理论计算结果与实验符合很好．就作者所知考虑上述七种散射机制计算２ＤＥＧ电子迁移率的工作，以前未见报道．; 杨斌陈涌海王占国梁基本廖奇为林兰英; 关键词：砷化镓二维电子气散射

Si上外延SiC缓冲层的生长及其对外延层的影响: 〈，２〉Ｈ〈，４〉在不同条件下将Ｓｉ（１００）衬底碳化形成ＳｉＣ的缓冲层，并在其上生长了ＳｉＣ，研究了碳化层对外延生长的影响。在固定温度下碳化洁净的Ｓｉ（１００）面，形成了多晶ＳｉＣ缓冲层；在升温过程碳化或保留升温过程形...; 王引书李亚闽张方方林兰英; 关键词：多晶缓冲层碳化硅半导体材料

Hzsm－5和Y沸石中Se链的吸收和喇曼光谱被引量：1: 1996年; 本文用扩散的方法，在ＨＺＳＭ－５和Ｙ沸石中制备了具有不同Ｓｅ组分的Ｓｅ链样品，并对样品进行了吸收和喇曼光谱测试．结果表明：制备的样品均为非晶Ｓｅ链结构，随制备条件的不同，非晶Ｓｅ链的混乱度有所不同．; 林兆军王占国李国华陈伟林兰英; 关键词：散射谱 HZSM-5 Y沸石

RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料被引量：7: 2003年; 用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电子气材料 .所获得的掺 Si的 Ga N膜室温电子浓度为 2 .2× 10 1 8cm- 3,相应的电子迁移率为 2 2 1cm2 /( V· s) ;1μm厚的 Ga N外延膜的 ( 0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 ( FWHM)为 7′;极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到 10 86cm2 /( V· s) ,相应的二维电子气面密度为 7.5× 10 1 2 cm- 2 .; 胡国新王晓亮孙殿照王军喜刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英; 关键词：RF-MBE 二维电子气 HFET ALGAN/GAN

Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究: 本文介绍了利用最近设计完成的冷壁式不锈钢超高真空MBE生长系统,结合MBE和CVD两种生长技术的特点,在2英寸的Si(100)和Si(111)衬底上外延生长出了高取向无坑洞的晶态3C-SiC外延材料,获得了制备无坑洞3C...; 孙国胜王雪罗木昌朱世荣李晋闽曾一平林兰英; 关键词：碳化硅半导体材料分子束外延生长 SI衬底; 文献传递

神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析被引量：2: 2004年; 利用神舟3号飞船(SZ-3)上的多样品空间晶体炉制备出GaMnSb材料.所设计的石英安瓿使用氧化铝棉毡和特殊设计制造的氮化硼坩锅进行减震,经受住了严峻的力学环境的考验,完成了材料的空间生长实验,达到了空间生长材料的初步要求.对空间生长的GaMnSb晶体进行了X射线能谱分析和X射线衍射分析,发现空间生长的GaMnSb是多晶结构.对未获得GaMnSb单晶的原因进行了分析,发现空间晶体炉温度的波动和提供能量的不足是导致生成GaMnSb多晶结构的主要原因.由于在晶体生长的初始阶段晶体炉提供的能量不足,使GaSb单晶部分未能熔化,从而导致GaMnSb材料的生长在没有籽晶的情况下进行.; 张富强陈诺夫吴金良钟兴儒钟兴儒; 关键词：微重力稀磁半导体 X射线衍射

Improved Epitaxy of 3C-SiC Layers on Si(100) by New CVD/LPCVD System被引量：2: 2002年; Single crystalline 3C-SiC epitaxial layers are grown on φ 50mm Si wafers by a new resistively heated CVD/LPCVD system,using SiH_4,C_2H_4 and H_2 as gas precursors.X-ray diffraction and Raman scattering measurements are used to investigate the crystallinity of the grown films.Electrical properties of the epitaxial 3C-SiC layers with thickness of 1～3μm are measured by Van der Pauw method.The improved Hall mobility reaches the highest value of 470cm 2/(V·s) at the carrier concentration of 7.7×10 17 cm -3 .; 孙国胜王雷罗木昌赵万顺孙殿照曾一平李晋闽林兰英; 关键词：HETEROEPITAXY 3C-SIC

偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC外延膜的生长研究: 用低压化学沉积(LPCVD)方法在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长,利用Nomarski光学显微镜和原子力显微镜(AFM)研究了原生长4H-SiC外延膜的...; 孙国胜赵万顺王雷罗木昌曾一平李晋闽孙殿照林兰英; 关键词：4H-SIC 表面形貌位错结构; 文献传递