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丛培沛

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇紫外发光二极...
  • 5篇二极管
  • 5篇发光
  • 5篇发光二极管
  • 3篇势垒
  • 3篇通信
  • 3篇空间通信
  • 3篇成核
  • 2篇氮化
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇ALN
  • 2篇DBR
  • 2篇MOCVD
  • 2篇波长
  • 2篇衬底
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化物半导体
  • 1篇导体

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇李晋闽
  • 8篇王军喜
  • 8篇闫建昌
  • 8篇丛培沛
  • 7篇孙莉莉
  • 7篇董鹏
  • 6篇曾建平
  • 1篇蓝鼎
  • 1篇刘喆
  • 1篇吴奎
  • 1篇刘乃鑫
  • 1篇田迎冬
  • 1篇张韵

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
紫外共振腔发光二极管
本发明公开了一种能够发射具有峰状轮廓并具有中心波长(λ)的辐射的共振腔紫外发光二极管(RC-UVLED)装置，该装置包括：一种共振腔紫外发光二极管装置，其包括：第一腔，其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向上...
曾建平闫建昌王军喜丛培沛孙莉莉董鹏李晋闽
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一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有D...
曾建平闫建昌王军喜丛培沛孙莉莉董鹏李晋闽
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一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法
本发明公开了一种具有高反射薄膜结构的AlGaN基紫外发光二极管器件及制作方法，其涉及微电子技术领域，主要解决紫外发光二极管背面出光结构中出光效率低的问题。该器件依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、...
曾建平闫建昌王军喜丛培沛孙莉莉董鹏李晋闽
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蓝宝石衬底上AlN的MOCVD外延生长
研究了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的AIN外延层。通过改变生长室压强,发现降低压强对提高AIN外延效率有显著的效果,因而采用了50torr的低压生长。通过对蓝宝石衬底的不同时间的氮化研究,发现7分钟的氮...
闫建昌王军喜丛培沛刘乃鑫刘喆李晋闽
关键词：氮化HRXRD
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纳米图形蓝宝石衬底上MOCVD外延生长AlN
AlGaN基的深紫外LED在消毒杀菌、生物医学、保密通信、紫外固化等领域具有广泛的应用前景。高质量、低位错密度的AlN模板是实现深紫外LED高效率发光的重要基础。为了降低A1N模板的位错密度,有研究组在微米级(2～5μm...
董鹏闫建昌吴奎曾建平丛培沛孙莉莉蓝鼎王军喜李晋闽
氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法
本发明提供了一种氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法。该氮化物发光二极管外延片包括：衬底；以及依次沉积于衬底上的氮化物材料的模板层、n型层、量子阱有源区、载流子阻挡层和p型层；其中，p型层中掺杂元素至少包括Mg...
闫建昌王军喜张韵丛培沛孙莉莉董鹏田迎冬李晋闽
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具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片
一种具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片，包括：一衬底；一AlN模板层，其生长在衬底上；一N型AlGaN层，其生长在AlN模板层上；一多量子阱的有源区，其生长在N型AlGaN层上；一电子阻挡层，其生长在多量子阱的有...
董鹏闫建昌王军喜孙莉莉曾建平丛培沛李晋闽
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一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有D...
曾建平闫建昌王军喜丛培沛孙莉莉董鹏李晋闽
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