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闫建昌

作品数：136 被引量：135H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 104篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 28篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇经济管理
  • 3篇机械工程
  • 3篇电气工程
  • 3篇轻工技术与工...
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学

主题

  • 47篇发光
  • 42篇二极管
  • 39篇发光二极管
  • 21篇紫外发光二极...
  • 20篇衬底
  • 18篇纳米
  • 15篇氮化
  • 15篇消毒
  • 14篇氮化物
  • 14篇电子阻挡层
  • 14篇阻挡层
  • 14篇光效
  • 14篇光效率
  • 14篇ALGAN
  • 12篇杀菌消毒
  • 12篇刻蚀
  • 12篇化物
  • 12篇ALN
  • 11篇金属
  • 11篇光源

机构

  • 136篇中国科学院
  • 9篇中国科学院大...
  • 6篇山西中科潞安...
  • 2篇辽宁工业大学
  • 2篇中国电子信息...
  • 2篇清华大学研究...
  • 2篇深圳市晶宏照...
  • 2篇无锡华兆泓光...
  • 1篇山西大学
  • 1篇阿卜杜拉国王...
  • 1篇北京中科优唯...
  • 1篇鹤壁市大华实...

作者

  • 136篇闫建昌
  • 128篇王军喜
  • 106篇李晋闽
  • 37篇孙莉莉
  • 37篇魏同波
  • 37篇郭亚楠
  • 27篇张韵
  • 18篇刘喆
  • 14篇董鹏
  • 12篇曾建平
  • 12篇魏学成
  • 11篇吴奎
  • 10篇曾一平
  • 10篇薛斌
  • 9篇刘乃鑫
  • 9篇张逸韵
  • 8篇丛培沛
  • 6篇王国宏
  • 6篇李璟
  • 6篇宋昌斌

传媒

  • 5篇发光学报
  • 5篇照明工程学报
  • 3篇半导体技术
  • 2篇计量学报
  • 2篇光子学报
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇科技导报
  • 1篇渔业现代化
  • 1篇光学学报
  • 1篇高科技与产业...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇第12届全国...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 8篇2023
  • 5篇2022
  • 14篇2021
  • 20篇2020
  • 10篇2019
  • 7篇2018
  • 12篇2017
  • 5篇2016
  • 6篇2015
  • 12篇2014
  • 12篇2013
  • 13篇2012
  • 4篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2007
共 136 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有紫外杀菌消毒功能的水表
本发明提出了一种具有紫外杀菌消毒功能的水表，包括计量装置、感应装置和发光装置，其中，通过在计量装置中水表本体上设置一个透明窗口，正对该透明窗口固定一个发光装置的紫外光源，紫外光源能够产生紫外光线并透过透明窗口对流经水表本...
闫建昌谢海忠王军喜魏学成孙莉莉张韵李晋闽
文献传递
具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件
一种III族氮化物的p型层的极化掺杂结构，其特征在于，所述p型层通过组分渐变引入的极化诱导产生一定浓度的空穴；所述p型层中含有p型掺杂剂，且所述p型掺杂剂浓度在所述p型层内呈调制分布。本发明通过Mg受主的调制掺杂，降低外...
郭亚楠闫建昌刘志彬王军喜李晋闽
文献传递
基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构
一种基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构，该方法包括以下步骤：在非晶组合衬底上沉积薄层二氧化硅，通过纳米压印的方式在非晶组合衬底上制备出二氧化硅阵列孔，对非晶衬底上的二氧化硅进行过腐蚀，将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉，露出衬...
梁冬冬魏同波闫建昌王军喜
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紫外发光二极管器件的制备方法
本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件的制备方法通过AlGaN电子阻挡层205和p型AlGaN层206的总厚度小于该电极层最底层金属层的金属材料的等离激元耦合距离的方式有效精确控制有源区到金属...
张韵孙莉莉闫建昌王军喜李晋闽
文献传递
AlGaN/GaN紫外发光分离限制异质结构的MOCVD外延
本文采用LP-MOVPE两步法,以无裂纹AIN作为模板,NH3、TMG、TMA作为源气,设计生长了Al组分为0.16和0.26的两个AlGaN单层和GaN单层,AFM、HRXRD、透射谱等表征测试的结果均表明。外延层结晶...
曾建平闫建昌丛培沛王军喜李晋闽
关键词：ALGANLP-MOCVD光致发光电致发光
氮化镓激光器腔面的制作方法
本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧...
田迎冬董鹏张韵闫建昌孙莉莉王军喜李晋闽
文献传递
一种AlN薄膜的制备方法
本发明提供一种AlN薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上溅射沉积一层底层AlN薄膜层，得到一初始薄膜；多次对所述初始薄膜进行热处理制层处理，在所述初始薄膜上形成多层次层AlN薄膜层，直至所述衬底上的Al...
蔡听松郭亚楠刘志彬闫建昌王军喜
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一种增强LED出光效率的粗化方法
本发明公开了一种增强LED出光效率的粗化方法，用于对LED的ITO层、P型层、N型层或衬底背面进行纳米级粗化，以提高LED的出光效率，该方法包括：步骤1：在需要粗化的薄膜上旋涂光刻胶；步骤2：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在...
孙莉莉闫建昌王军喜刘乃鑫魏同波魏学成马平刘喆曾一平王国宏李晋闽
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一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法
本发明公开了一种GaN基HEMT外延结构及其生长方法，该外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、高阻层、沟道层和势垒层，其中：缓冲层外延生长在衬底上；高阻层外延生长在缓冲层上，其中，高阻层为极化诱导掺杂；沟道层外延...
张连张韵闫建昌王军喜李晋闽
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一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH<Sub>4</Sub>和/或Cp<Sub>2</Sub>Mg作为掺杂剂，使用...
纪攀峰李京波闫建昌刘乃鑫刘喆王军喜李晋闽
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