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赵振香

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:华北光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇红外
  • 1篇探测器
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇温度关系
  • 1篇膜材料
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体退火
  • 1篇光学
  • 1篇光学材料
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光学
  • 1篇红外光学材料
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇HGCDTE
  • 1篇MCT

机构

  • 2篇华北光电技术...

作者

  • 2篇刘克岳
  • 2篇赵振香
  • 1篇王金义
  • 1篇郎维和

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外与激光技...

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1995
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
MCT晶体退火压力─温度关系及其分析
1997年
采用热重法对组分不同(x=0.15~0.26、y=0.50~0.54)的(Hg1-xCdx)1-yTey晶体s-g平衡体系进行了P-T关系测量(T<560℃、P=2~76kPa);发现x值不同的样品对P-T的影响不明显;y值偏离(y≥0.504)的样品在420±5℃有PHg降,并对此进行了分析,提出了利用此现象可以减少MCT晶体中的富Te量和改善Te组分均匀性;补充了51kPa以下的P-T数据,通过与传统相图的比较发现MCT的相存在区缩小,特别是在10kPa以下,Te饱和线逐渐向Hg饱和线靠拢,并对本征线的可能位置进行了分析。通过该研究为MCT晶体造火条件提供了精确的选择范围。
刘克岳赵振香王金义郎维和
关键词:碲镉汞晶体退火红外光学材料
有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究
1995年
本文采用有机金属沉积(MOCVD)法在CaAs衬底上率先开展生长双色HgCdTe材料的研究,总结了生长CdTe缓冲层和隔离层、x≈0.2、x≈0.3的HgCdTe晶膜的工艺条件,并给出了HgCdTe双色材料的组分均匀性、厚度、表面形貌、结构和电性能。
陈记安刘克岳李贤春赵振香
关键词:HGCDTE红外探测器
共1页<1>
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