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刘兴阶

作品数：15 被引量：36H指数：4
供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电气工程
  • 7篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇化学工程

主题

  • 6篇铁氧体
  • 6篇溅射
  • 5篇射频磁控
  • 5篇射频磁控溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇铁电
  • 4篇钡铁氧体
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻材料
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷靶材
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇铁电陶瓷
  • 2篇铁氧体薄膜
  • 2篇退火
  • 2篇热敏电阻
  • 2篇热敏电阻材料
  • 2篇靶材
  • 2篇饱和磁化强度

机构

  • 13篇华中理工大学
  • 2篇华中科技大学

作者

  • 15篇李佐宜
  • 15篇刘兴阶
  • 6篇胡用时
  • 5篇卢德新
  • 4篇刘卫忠
  • 4篇黄龙波
  • 4篇缪向水
  • 2篇黄煜梅
  • 1篇傅焰峰
  • 1篇崔瑛
  • 1篇林更琪
  • 1篇邱进军
  • 1篇许忠
  • 1篇徐则川
  • 1篇李震
  • 1篇李晖

传媒

  • 4篇华中理工大学...
  • 2篇功能材料
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇信息记录材料
  • 1篇金属功能材料

年份

  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1997
  • 4篇1996
  • 3篇1995
  • 2篇1994
  • 3篇1993
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铁电(Pb_(0.925)La_(0.075))(Zr_(0.65)Ti_(0.35))_(0.981)O_3薄膜的疲劳特性研究被引量：4
1995年
铁电薄膜(BaLiO_3,PbLiO_3,(Pb_(1-x)La_x)(Zr_yLi_(1-y))_(1-x/4)O_3(PLZL_x/y/(1-y)),LiNbO_3,Bi_4Li_3O_12等)在近20年来由于其在电、光学上的大量应用而被广泛地研究,尤其是铁电薄膜存储器综合了半导体存储器与磁存储器的优点,具有高速度、高密度、非挥发性和极好的抗辐射性等特点,并能与半导体工艺相兼容,是国际上研究的热门领域.这些应用都需要高质量的铁电薄膜,许多薄膜制备技术,如纪光闪蒸、溅射、外延沉积、化学蒸发沉积和sol-gel方法等,已被用于在各种衬底上制备铁电薄膜.
黄龙波李佐宜刘兴阶缪向水卢德新
关键词：铁电薄膜射频磁控溅射PLZT
NiO靶烧结温度对NiO/Ni_(81)Fe_(19)双层膜的影响
2000年
在不同的温度下烧结制备 Ni O靶 ,用射频磁控溅射法淀积 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜 ,研究了不同的温度烧结 Ni O靶对 Ni O/ Ni Fe双层膜特性的影响 ,结果表明 ,使用不同的烧结温度制备的 Ni O靶溅射所得的 Ni O膜中 Ni的化学价态及其含量不同 ,进而影响 Ni O/ Ni81 Fe1
胡用时邱进军李佐宜刘兴阶
关键词：烧结温度矫顽力双层膜射频磁控溅射
铁电PZT系列薄膜结构和性能的研究被引量：2
1996年
采用射频磁控溅射技术制备了铁电PZT薄膜。研究了不同温度烧结的靶材与溅射薄膜成分的关系，深入探讨了薄膜的退火工艺对薄膜晶体结构和铁电性能的影响。认为当靶材原始配方相同时，则低温（900℃）烧结的靶材使得薄膜中有过剩的PbO存在，有利于改善和提高薄膜的铁电性能；而高温（1200℃）烧结的靶材，由于退火后薄膜中PbO的含量小于化学计量比，使得薄膜的铁电性能变差。实验表明，薄膜的最佳退火条件为600～650℃，60min，典型的剩余极化强度为13．2μC／cm2，矫顽场为55．5kV／cm2。
卢德新李佐宜刘兴阶黄龙波傅焰峰林更琪
关键词：射频磁控溅射锆钛酸铅晶体结构铁电体
溅射用铁电陶瓷靶的烧结与显微结构分析被引量：6
1994年
探讨了溅射用铁电陶瓷靶（ＰＺＴ，ＰＬＺＴ）的烧结工艺，并对其显微结构进行了分析。结果表明，采用新的烧结工艺（含保护措施），可以有效地抑制ＰｂＯ的挥发，制备出组织结构及成分均匀、ＰｂＯ含量正常、致密度较高、不变形的符合磁控溅射要求的铁电陶瓷烧结靶。
卢德新刘兴阶胡用时李佐宜
关键词：液相烧结显微结构
PLZT陶瓷靶材及溅射薄膜的微观结构研究被引量：8
1994年
研究了铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷靶材及用射频磁控溅射法制备的相同组分陶瓷薄膜的矿物结构及显微结构．实验结果表明，与陶瓷靶材相比，陶瓷薄膜的结晶取向发生了较大的变化，晶粒度减小，致密度提高，但晶粒无完整的晶形．随退火温度的提高，薄膜的缺陷明显增加．
卢德新黄龙波刘兴阶林更琪胡用时李佐宜
关键词：陶瓷铁电陶瓷靶材
退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响
1996年
用RF磁控溅射法，在纯Ar气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ba铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜c轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在700℃氧气中退火可获得良好c轴垂直膜面的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ms=296emu／cm3，Hc=308761A／m。退火温度过低或过高，都不利于形成c轴垂直膜面的择优取向。
刘兴阶刘卫忠林更琪缪向水李佐宜
关键词：铁氧体射频磁控溅射退火钡铁氧体
α铁-铁氧体材料粘结混合磁体被引量：1
2001年
本文研究了α铁 -铁氧体粘结混合磁体的复合效应。结果表明了混合磁体的剩磁Br 有增强现象 ,这种增强现象与晶粒尺寸有关。
刘兴阶李震胡用时李佐宜
关键词：铁氧体永磁材料
双层耦合膜的磁光克尔效应研究被引量：3
1993年
稀土-过渡族金属(RE-TM)非晶垂直磁化膜用于磁光记录材料已被广泛研究。为了提高材料的读出性能,提高分辨率,降低误码率,希望材料有较大的磁光克尔旋转角θ_k。本文采用磁光双层膜耦合结构,将信息的记录和读出分别由记录层(Storage Layer)薄膜和读出层(Readout Layer)薄膜完成,将磁光克尔旋转角θ_k由单层膜的小于0.30°,提高到双层膜的0.38°,较好地解决了这一问题。
刘兴阶许忠朱平李佐宜
关键词：磁光克尔效应交换耦合
新型NTC热敏电阻材料—含铜Mn系铁氧体的研究被引量：5
1993年
研究了含铜Mn系铁氧体的阻温特性,目的是用廉价的铁氧体取代价格昂贵的、传统的Mn Ni Co氧化物、负温度系数热敏电阻。通过Cu^(2+)离子取代Fe^(2+)离子或Mn^(2+)离子,及改变淬火工艺,可以改变Mn系铁氧体整体电阻率ρ和材料参数B,得到可与传统氧化物器件相比拟的性能。
刘兴阶胡用时李佐宜
关键词：NTC热敏电阻热敏电阻
新型NTC热敏电阻材料——Mn基铁氧体的研究
1993年
研究了Mn基铁氧体的阻温特性,讨论了过铁含量、Ti^(4+)离子及工艺对Mn基铁氧体电阻率ρ和材料参数B的影响.通过改变铁离子氧化状态、掺杂及淬火工艺、改变Mn基铁氧体的整体电阻率ρ和材料参数B.
刘兴阶李佐宜胡用时李晖
关键词：铁氧体电阻NTC热敏电阻器
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