胡用时 作品数:52 被引量:86 H指数:6 供职机构: 华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系 更多>> 发文基金: 国家教育部博士点基金 教育部重点实验室基金 国家高技术研究发展计划 更多>> 相关领域: 理学 电气工程 电子电信 自动化与计算机技术 更多>>
NiO靶烧结温度对NiO/Ni_(81)Fe_(19)双层膜的影响 2000年 在不同的温度下烧结制备 Ni O靶 ,用射频磁控溅射法淀积 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜 ,研究了不同的温度烧结 Ni O靶对 Ni O/ Ni Fe双层膜特性的影响 ,结果表明 ,使用不同的烧结温度制备的 Ni O靶溅射所得的 Ni O膜中 Ni的化学价态及其含量不同 ,进而影响 Ni O/ Ni81 Fe1 胡用时 邱进军 李佐宜 刘兴阶关键词:烧结温度 矫顽力 双层膜 射频磁控溅射 磁各向异性常数的快速傅立叶变换估算方法与实现 被引量:1 2000年 论述了磁各向异性常数的快速傅立叶变换(FFT)的估算原理、实现方法以及实现中磁转矩函数周期的识别、样本的取舍、傅氏级数的系数选取等问题。并给出一个实际计算的例子。该方法在应用中比其它方法更简单、更快。 李震 李佐宜 胡用时关键词:快速傅立叶变换 高分辨率磁性旋转编码器 被引量:5 1996年 研制了具有高分辨率的无接触式磁鼓型旋转编码器,具有两路增量方波信号(2000PPR)和一路零位索引信号(1PPR),响应频率大于200KHz。 郑远开 李佐宜 胡用时 任志远 李春富关键词:编码器 磁阻效应 磁鼓 玻璃基片和石英试杆对磁光薄膜居里温度测量的影响及其消除方法 2001年 在磁光薄膜居里温度的测量中 ,当薄膜的磁化强度信号与石英试杆和玻璃基片的磁化强度信号具有同一数量级时 ,石英试杆和玻璃基片对薄膜居里温度的确定引入了很大的误差。提出了消除石英试杆和玻璃基片影响的三种方法。实验结果表明 ,由三种方法消除石英试杆和玻璃基片影响后所确定得到的磁光薄膜居里温度相对偏差小于 5%。因此 。 李震 邱进军 朱全庆 胡用时关键词:磁光薄膜 α铁-铁氧体材料粘结混合磁体 被引量:1 2001年 本文研究了α铁 -铁氧体粘结混合磁体的复合效应。结果表明了混合磁体的剩磁Br 有增强现象 ,这种增强现象与晶粒尺寸有关。 刘兴阶 李震 胡用时 李佐宜关键词:铁氧体 永磁材料 M-H回线可变时间常数的测量方法 被引量:2 2001年 针对光调制直接重写磁光薄膜磁滞回线的测量 ,提出一种简单的自动变积分时间常数的测量方法 ,既能有效地抑制噪声 ,确保幅度和相位的不失真 ,又能保证 M- H矩形度的不失真 ,以及矫顽力 Hc的一定精度。并给出一个比较例子 ,结果表明该方法更合理。 李震 李佐宜 杨晓非 胡用时关键词:积分器 时间常数 噪声 矫顽力 SmDyFeCo磁光薄膜的制备和性能研究 1996年 本文采用射频磁控溅射方法制备了SmDyFeCo非晶磁光薄膜。研究了氩气压、溅射功率对SmDyFeCo薄膜性能的影响。实验表明,反射率随氩气压升高而降低。矫顽力随氩气压升高而逐渐增大,达到一定值时克尔回线反向,随后矫顽力又逐渐减小。高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好,但氩气压进一步升高,磁光克尔回线矩形度变差。本征磁光克尔角随氩气压升高而增大,到达最大值后又逐渐减小。反射率随溅射功率增加而升高,到达最大值后又逐渐下降。矫顽力随溅射功率增加而逐渐增大,到达最大值后,磁光克尔回线反向,然后矫顽力又逐渐减小。本征磁光克尔角随溅射功率增加而增大,到达最大值后又逐渐减小。为了满足高信噪比,记录信息稳定的磁光记录要求,氩气压选为0.47~0.73Pa。 卢正启 李佐宜 胡作启 缪向水 崔瑛 林更琪 胡用时关键词:矫顽力 反射率 磁光薄膜 差分跳频系统的G函数算法研究 被引量:9 2005年 差分跳频是CHESS电台的核心技术,它主要归结于一种G函数算法,这种G函数集跳频图案和信息调制于一体。提出的G函数算法与m序列有关。在介绍G函数算法原理的基础上,分析了G函数跳频图案的性能,并对其进行了检验。结果表明,该算法产生的跳频图案具有良好的随机性和均匀性。 朱秀林 胡用时 于奇关键词:差分跳频 G函数 M序列 铁电PLZT薄膜退火工艺的研究 被引量:3 1994年 在无氧气氛下,采用射频磁控溅射法制备了PLzT系列薄膜,对原位溅射薄膜进行了快速退火及常规退火处理,深入研究了退火工艺对铁电薄膜结构与性能的影响。认为采用常规退火工艺处理无氧溅射的薄膜时,铁电薄膜具有更好的晶体结构和铁电性能。 胡用时 卢德新 李佐宜关键词:铁电薄膜 退火工艺 掺入轻稀土元素对薄膜的磁光克尔效应的增强 1994年 从磁光克尔效应的宏观唯象理论和量子理论出发分析了轻稀土元素对磁光克尔效应的增强机理;研究了轻稀土元素LRE(Nd,Sm,Pr)掺入后(LRE,HRE)-TM薄膜的稀上成分比和溅射时基片负偏压对薄膜磁光克尔角的影响,研究结果表明,轻稀土元素的掺入能使HRE-TM磁光薄膜的磁光克尔效应得到明显的增强。 胡用时 缪向水 林更琪 李佐宜关键词:磁光克尔效应 轻稀土元素 磁光薄膜 全文增补中