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赵岩

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 8篇旋涂
  • 8篇圆片
  • 8篇磷化铟
  • 6篇异质结
  • 5篇盐酸清洗
  • 5篇金属
  • 5篇发射极
  • 4篇甩干机
  • 4篇晶体管
  • 4篇键合
  • 4篇光刻
  • 4篇光刻胶
  • 4篇衬底
  • 3篇氮化镓
  • 3篇异质结晶体管
  • 3篇热板
  • 3篇外延层
  • 3篇刻蚀
  • 3篇硅衬底
  • 3篇半导体

机构

  • 19篇中国电子科技...

作者

  • 19篇赵岩
  • 18篇程伟
  • 11篇吴立枢
  • 6篇石归雄
  • 5篇王元
  • 5篇牛斌
  • 4篇刘昊
  • 2篇陈征
  • 2篇陆海燕
  • 2篇刘海琪
  • 2篇陈辰
  • 2篇吴璟
  • 1篇孔岑

年份

  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 8篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作方法
本发明是一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极的制作方法：蒸发剥离方法制作发射极金属条形；淀积SiN薄膜；刻蚀形成SiN侧墙；湿法腐蚀发射区材料；自对准制作基极接触金属，完成磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作；优点：Si...
牛斌王元程伟赵岩吴立枢陆海燕
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一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法
本发明是一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法，包括以下步骤：1）在磷化铟（InP）衬底上光刻一次布线图形，通过蒸发金属并进行剥离，实现一次布线金属图形化；2）旋涂BCB（Benzocyclobutene），并在...
王元程伟赵岩牛斌刘海琪陈征
一种提高半导体晶片键合对准精度的方法
本发明公开了一种提高半导体晶片键合对准精度的方法，其主要包括分别在两块半导体晶片上沉积介质层、旋涂光刻胶、光刻、去除光刻胶、在一块半导体晶片上旋涂BCB，最后借助光刻形成的两个相互嵌合的图形进行对准、键合。相对于现有技术...
吴立枢赵岩
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基于光刻胶的临时键合及去键合的方法
本发明是一种基于光刻胶（ProLIFT100）的临时键合及去键合的方法，其特征是包括临时键合及去键合。优点是：GaAs、GaN等化合物半导体晶圆加工的一些关键工艺如背面金属化、背面通孔的刻蚀等步骤在200摄氏度以上高温下...
赵岩程伟吴璟
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一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法
本发明是一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法；光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极；利用发射极金属为掩膜，腐蚀掉发射区；光刻基极图形，蒸发金属并剥离形成基极；光刻基极台面图形，利用光刻胶保护住基极金属以...
程伟赵岩陈辰
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一种砷化镓基外延层剥离转移的方法
本发明是砷化镓基外延层剥离转移的方法，1）稀释的盐酸清洗砷化镓基外延片和临时衬底表面；2）砷化镓基外延片正面旋涂光刻胶；3）砷化镓基外延片正面朝上放热板上烘烤；4）冷却后与临时衬底正面相对键合；5）将砷化镓基外延片砷化镓...
吴立枢赵岩程伟
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一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法
本发明是一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法；蒸发发射极金属钛/铂/金；淀积二氧化硅薄膜；蒸发耐刻蚀金属掩膜层作为发射极金属的刻蚀掩膜；涂胶并完成亚微米发射极图形光刻；利用感应离子耦合刻蚀机刻蚀金属掩膜；去除光...
牛斌王元程伟赵岩
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硅基氮化镓外延层剥离转移的方法
本发明是一种硅基氮化镓外延层剥离转移的方法，包括如下步骤：1）盐酸清洗硅基氮化镓外延片和临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）正面旋涂光刻胶，并通过光刻胶将硅基氮化镓外延片粘贴到临时载片上；3）...
赵岩吴立枢程伟石归雄
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一种基于外延层转移实现N面GaN的方法
本发明是一种基于外延层转移实现N面GaN的方法，包括：1）用稀释的盐酸清洗Si基GaN、半导体圆片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）在Si基GaN圆片和半导体圆片的正面分别旋涂粘附剂作为键合材料，转...
吴立枢赵岩程伟刘昊石归雄
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一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法
本发明是一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7）BCB键合；8）...
吴立枢赵岩程伟
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共2页<12>
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