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吴立枢

作品数：54 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 53篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 29篇键合
  • 24篇衬底
  • 18篇氮化镓
  • 15篇晶体管
  • 12篇金刚石
  • 12篇键合材料
  • 12篇刚石
  • 11篇圆片
  • 10篇氮化镓晶体管
  • 8篇旋涂
  • 7篇盐酸清洗
  • 6篇光刻
  • 6篇半导体
  • 5篇直接键合
  • 5篇外延层
  • 5篇微电子
  • 5篇刻蚀
  • 5篇硅衬底
  • 4篇氮化镓器件
  • 4篇生长介质

机构

  • 54篇中国电子科技...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇北京科技大学

作者

  • 54篇吴立枢
  • 34篇孔月婵
  • 26篇陈堂胜
  • 16篇程伟
  • 14篇郭怀新
  • 11篇赵岩
  • 6篇石归雄
  • 6篇王元
  • 5篇牛斌
  • 4篇刘昊
  • 3篇朱健
  • 2篇彭龙新
  • 2篇郁鑫鑫
  • 2篇沈国策
  • 1篇陆海燕
  • 1篇孔岑
  • 1篇韩群飞

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 7篇2022
  • 6篇2021
  • 10篇2020
  • 2篇2019
  • 7篇2018
  • 6篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
共 54 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅基氮化镓外延层剥离转移的方法
本发明是一种硅基氮化镓外延层剥离转移的方法，包括如下步骤：1）盐酸清洗硅基氮化镓外延片和临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）正面旋涂光刻胶，并通过光刻胶将硅基氮化镓外延片粘贴到临时载片上；3）...
赵岩吴立枢程伟石归雄
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一种微电子器件纳米界面键合层热阻分析方法
本发明是一种微电子器件纳米界面键合层热阻分析方法，包括如下步骤：(1)含纳米界面键合层的激光闪射法测试试样的设计和样品制备，及试样的热阻网格化；(2)采用激光热闪射法获取整体试样的热扩散系数，并结合热阻方程数值计算热阻；...
郭怀新吴立枢孔月婵陈堂胜
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一种金刚石基氮化镓HEMT器件的制备方法
本申请公开了金刚石基氮化镓HEMT器件的制备方法，包括以下步骤：在硅衬底上生长一层金刚石材料，得到硅衬底金刚石晶圆；将制备好的氮化镓HEMT器件与临时载片进行临时粘片；去除氮化镓HEMT器件的原始衬底材料；通过介质键合材...
吴立枢孔月婵陈堂胜
一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明涉及一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，其步骤包括：1）清洗碳化硅基氮化镓圆片和临时载片；2）临时载片正面涂敷粘合材料；3）碳化硅基氮化镓圆片与临时载片临时键合；4）将碳化硅基氮化镓圆片的碳化硅衬底去...
吴立枢孔月婵郭怀新戴家赟
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一种基于外延层转移实现N面GaN的方法
本发明是一种基于外延层转移实现N面GaN的方法，包括：1）用稀释的盐酸清洗Si基GaN、半导体圆片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）在Si基GaN圆片和半导体圆片的正面分别旋涂粘附剂作为键合材料，转...
吴立枢赵岩程伟刘昊石归雄
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一种硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法
本发明涉及一种硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，包括：在氮化镓晶体管圆片上蒸发/溅射第一互联金属；在氮化镓晶体管圆片上旋涂一层BCB，覆盖第一互联金属，对BCB进行平坦化刻蚀，露出第一互联金属表面；在硅晶体管圆片上蒸...
吴立枢戴家赟孔月婵
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一种石英衬底InP HEMT有源层集成方法
本发明公开一种石英衬底InP HEMT有源层集成方法，具体为：1：在晶圆的有源层上旋涂第一临时键合粘附剂后放在热板上预烘烤；2：将第一支撑载片与有源层键合；3：减薄晶圆的衬底；4：在第二支撑载片上旋涂第二临时键合粘附剂后...
戴家赟吴立枢郭怀新孔月婵朱健陈堂胜
一种单行载流子光电探测器及其制作方法
本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制作方法，光电探测器包括金刚石衬底、金属反射层、有源层和电极，金属反射层作为探测器的N型电极；制作方法包括：在InP衬底上生长外延层；将临时载片与InP片键合；去除InP衬底；在N...
李冠宇牛斌吴立枢戴家赟
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一种金刚石衬底GaN器件背孔制备的方法
本发明公开了一种金刚石衬底GaN器件背孔制备的方法，包括：1）制备金刚石衬底GaN器件；2）临时载片的正面涂敷键合材料；3）将GaN器件和临时载片键合；4）金刚石衬底表面沉积金属掩膜，并剥离金属得到背孔图形；5）按照背孔...
吴立枢孔月婵陈堂胜
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一种批量化高精度层转移异质集成方法
本发明公开了一种批量化高精度层转移异质集成方法，首先采用临时键合工艺，将筛选后分立的芯片高精度地重构在支撑载片上，然后采用衬底剥离工艺，将极薄的芯片器件层从衬底剥离，键合转移到目标衬底上。通过这种方式，即可以解决多芯片的...
戴家赟王飞吴立枢王宇轩孔月婵陈堂胜
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