范俊卿
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：烟台大学化学化工学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学杰出青年基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术文化科学理学自动化与计算机技术更多>>
- 纳米ZnO和钇铝石榴石的水热法制备及特性表征
- 氧化锌(ZnO)是一种重要的直接宽带隙化合物半导体材料,具有优良的压电、热电、光电特性,其禁带宽度为3.37eV,室温下激子束缚能高达60meV,远高于其它半导体材料。现在诸多研究者已成功生长出了如纳米线、纳米管、纳米带...
- 范俊卿
- 关键词：纳米ZNO钇铝石榴石水热法光致发光紫外吸收
- 文献传递
- 纳米ZnO和钆铝石榴石的水热法制备及特性表征
- 氧化锌(ZnO)是一种重要的直接宽带隙化合物半导体材料，具有优良的压电、热电、光电特性，其禁带宽度为3.37eV，室温下激子束缚能高达60meV，远高于其它半导体材料。现在诸多研究者已成功生长出了如纳米线、纳米管、纳米带...
- 范俊卿
- 关键词：水热法光电特性铈掺杂光致发光
- 文献传递
- In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N多量子阱结构发光特性的测量与分析被引量：1
- 2009年
- 利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构外延层,并用变温光致发光(PL)光谱、选择激发光谱以及激发(PLE)光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应的起源以及峰位随温度变化等信息。变温PL光谱的结果表明:在温度从30K变化到300K时,其峰值强度只下降了1.36倍且发光波长发生了蓝移。通过选择激发光谱证明了其发光峰位的独立性。PLE结果表明了GaN和势垒层的Stokes位移很小,但是InxGa1-xN阱层的Stokes位移变化很大。同时,提出了一种可同时获得多个吸收边的数据处理方法。
- 郭洪英潘定珍范俊卿马旭戴振宏孙元平
- 关键词：INGAN激发光谱
- 研究生思想政治教育存在问题及对策研究被引量：2
- 2012年
- 新时期,研究生思想意识趋于复杂化,行为方式趋于多样化,给高校思想政治工作提出了一系列新课题。如何站在历史和时代的高度,不断分析、掌握研究生思想价值观新走向,加强高校研究生思想政治工作,开展研究生思想政治教育的探索与创新显得尤为重要。本文分析了现阶段研究生群体的突出特点以及研究生思政教育中存在的困难和问题,提出了相应的对策分析。
- 范俊卿
- 关键词：思想政治教育
